中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)最新一期《科學(xué)》雜志，來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機構(gòu)的一個研究團隊進行的實驗表明，一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導(dǎo)體的兩個限制：為電子和空穴提供很高的遷移率，并具有良好的導(dǎo)熱性能。研究人員說，它可能是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料�，F(xiàn)有三代半導(dǎo)體材料一覽在現(xiàn)有的全部三代半導(dǎo)體材料中，第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）、鍺（Ge）為代表，硅基材料是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎(chǔ)，現(xiàn)代科技便是建立在以硅為代表的這類半導(dǎo)體材料之上的成果，目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應(yīng)用場景。第二代半導(dǎo)..【詳細】