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            透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
            透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口

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            美國(guó)

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            上海納騰儀器有限公司

            會(huì)員

            |

            第2年

            |

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            聯(lián)系我們:021-64283335/admin@s********

            SHNTI的X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線(如真空紫外線)的**透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時(shí)承載樣品。 X-射線越軟(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成一定角度)時(shí),也需要較薄的薄膜窗口,便于X射線更好地穿透。

            SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成,由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比計(jì)量式和ST氮化硅薄膜更堅(jiān)固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應(yīng)用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域,例如,X-射線(上海光源透射成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。

            現(xiàn)在SHNTI可以提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:

            外框尺寸 (4種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格):

            5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)

            7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm)

            10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形)

            邊框厚度: 200μm、381μm、525μm。

            Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm

            SHNTI也可以為用戶(hù)定制產(chǎn)品(30-500nm),但要100片起訂。

            本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶(hù)重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

            與X射線用氮化硅窗口類(lèi)似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時(shí)SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

            現(xiàn)在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:

            外框尺寸:

            3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm) 邊框厚度: 200μm、381μm。

            Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm

            SHNTI也可以為用戶(hù)定制產(chǎn)品(30-200nm),但要100片起訂。

            本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶(hù)重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

            技術(shù)指標(biāo):

            表面平整度:

            我們認(rèn)為薄膜與其下的硅片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm。完全適用于TEM表征。

            親水性

            該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機(jī)對(duì)薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時(shí)獲得親水效果。雖然沒(méi)有對(duì)其使用壽命進(jìn)行過(guò)測(cè)試,但預(yù)期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當(dāng)?shù)膲勖?。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格,但無(wú)法保證其使用壽命。如果實(shí)驗(yàn)室有蝕刻工具也可對(duì)其進(jìn)行相應(yīng)的處理提高其親水性能。

            溫度特性:

            氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長(zhǎng)各種納米材料。

            化學(xué)特性:

            氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

            應(yīng)用簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn):

            1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對(duì)同一區(qū)域的交叉配對(duì)表征。

            2、 大窗口尺寸,適合TEM大角度轉(zhuǎn)動(dòng)觀察。

            3、 無(wú)碳、無(wú)雜質(zhì)的清潔TEM觀測(cè)平臺(tái)。

            4、 背景氮化硅無(wú)定形、無(wú)特征。

            5、 耐高溫、惰性襯底,適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。

            6、 生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。

            7、 耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。

            8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機(jī)材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。

            氮化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣,甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡埽袘?yīng)用都有無(wú)氮要求(因樣本中有氮存在):

            惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過(guò)TEM、SEM或AFM(某些情況下)對(duì)反應(yīng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察。

            作為耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下對(duì)同一區(qū)域進(jìn)行“匹配”。

            作為耐用匹配基片,對(duì)AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。

            聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們推薦使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。

            許多研究納米微粒,特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現(xiàn)此種薄膜窗格在他們實(shí)驗(yàn)中不可缺少。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小,此項(xiàng)研究人員也同樣會(huì)發(fā)現(xiàn)氧化硅薄膜窗格的價(jià)值。

            優(yōu)點(diǎn):

            • SEM應(yīng)用中,薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)。

            • x-射線顯微鏡中,裝載多個(gè)分析樣的**方法。

            • 無(wú)氮

            高溫應(yīng)用,氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩(wěn)定的性能。

            使用前清潔:

            氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會(huì)散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離,并對(duì)外框進(jìn)行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會(huì)對(duì)您的實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生任何影響。

            如果用戶(hù)確實(shí)需要對(duì)這些碎片進(jìn)行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機(jī)物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

            通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜,因超聲波可能使其粉碎性破裂。

            詳細(xì)情況,您可以與我們?nèi)〉寐?lián)系。我們?yōu)槟灰唤獯稹?/p>

            聯(lián)系我們:021-64283335/admin@s********

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            10分

            易用性

            10分

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