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德國(guó)Parcan（Nano analytik)掃描針尖電子束光刻機(jī)SPL

簡(jiǎn)介：

公司以全球****的針尖技術(shù)為核心競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)源自于德國(guó)伊爾默瑙工業(yè)大學(xué)，致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結(jié)構(gòu)制備和表征方面的研發(fā)，及其相關(guān)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。

公司研制一套基于掃描針尖低能電子場(chǎng)發(fā)射的原理、采用壓阻式微納米針尖和多維納米定位與測(cè)量技術(shù)、在半導(dǎo)體器件材料表面制造尺寸小于5納米線寬結(jié)構(gòu)的高性能微納加工系統(tǒng)。公司致力于為微納米制造企業(yè)提供制備微納米功能結(jié)構(gòu)和功能器件（比如**速且*省電的基于單電子器件的芯片）的高性能設(shè)備和技術(shù)服務(wù)。

技術(shù)特點(diǎn)：

。場(chǎng)發(fā)射低能電子束

。大幅降低電子束背底散射

。幾乎消除電子束臨近效應(yīng)

。光刻5納米以下單線寬結(jié)構(gòu)

。光刻結(jié)構(gòu)間距小于2納米

。接近原子級(jí)分辨的套刻精度

。線寫速度高達(dá) 300 μm/s

。大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻

。正光刻流程無(wú)需顯影步驟

。無(wú)需調(diào)制電子束聚光

。大范圍分步重復(fù)工藝

。Mix & Match 混合光刻模式

。針尖曝光與結(jié)構(gòu)成像實(shí)時(shí)進(jìn)行

。真空原位觀測(cè)光刻圖案