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NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)

NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)

通過加速的 Ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。通常情況下，樣品表面采用厚膠作掩模，刻蝕期間高能離子流將會(huì)對(duì)基片和光刻膠過加熱，除非找到合適的方法移除熱量，光刻膠將變得昂變得很難以去除。支持百級(jí)超凈間使用。

NANO-MASTER 擁有成熟的技術(shù)能力可以使基片溫度保持在50°C 以下。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可以切成斜角，通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對(duì)于大尺寸的基片，我們配置線性離子源，通過掃描的方式，可以實(shí)現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項(xiàng)，若要刻蝕之后馬上涂覆，可以增加濺射選項(xiàng)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的晶圓片，也可選擇自動(dòng)裝載卸載晶圓片。

工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。

系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級(jí)密碼授權(quán)訪問保護(hù)，防止使用者越權(quán)使用，含：

。 操作者權(quán)限：運(yùn)行程序

。工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序

。工程師權(quán)限：可獨(dú)立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序

。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除

系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單，每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個(gè)工藝工序（步驟），可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單操作完成復(fù)雜的工藝。

系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含渦輪分子泵和機(jī)械泵，極限真空可達(dá)到10-7 Torr 量級(jí)(可升級(jí)到 10-8Torr 量級(jí))。分子泵與腔體之間的直連設(shè)計(jì)，系統(tǒng)可獲得**真空傳導(dǎo)率，12 小時(shí)達(dá)到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動(dòng)控制渦輪速度而全自動(dòng)調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計(jì)配置，可實(shí)現(xiàn)真空的全局測(cè)量和精確測(cè)量。

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級(jí)，可自動(dòng)進(jìn)樣、對(duì)準(zhǔn)、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨(dú)立真空系統(tǒng)，通過 PC 全自動(dòng)監(jiān)控。

若離子銑工藝之后需要馬上進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕處理，NMC 技術(shù)可以雙腔體系統(tǒng)，在一個(gè)系統(tǒng)的兩個(gè)腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝，若加上自動(dòng)傳輸，還可實(shí)現(xiàn)整個(gè)處理過程都不打破彼此真空狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)非常高效的工藝處理