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            氮化硅陶瓷粉體比表面積測(cè)試方法探究

            氮化硅陶瓷粉體比表面積測(cè)試方法探究
            精微高博  2024/12/06  |  閱讀:556

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            產(chǎn)品配置單:
            方案詳情:

            隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,不同行業(yè)對(duì)新型材料的需求也日益增加。由于金屬材料的自身局限性,在一些領(lǐng)域無法滿足工業(yè)發(fā)展要求,正逐步被結(jié)構(gòu)陶瓷材料所替代。氮化硅陶瓷以其優(yōu)異的機(jī)械性(高硬度、高強(qiáng)度和高韌性)、自潤滑性、耐高溫性及化學(xué)穩(wěn)定性(耐酸堿和金屬熔體侵蝕),同時(shí)具有優(yōu)良的透明性和透波性,廣泛應(yīng)用于機(jī)械、汽車、航空、電子等領(lǐng)域,如切削刀具、陶瓷軸承、渦輪轉(zhuǎn)子以及散熱基板等。

            氧化硅-1

            氮化硅粉體有a、b、g- Si3N4三種晶相。α-Si3N4在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱性低、內(nèi)部應(yīng)變大、自由能較高,為熱力學(xué)亞穩(wěn)相[3]。在高溫下(1400℃~1800℃)發(fā)生 α→β 的不可逆轉(zhuǎn)變。g相只有在高壓及高溫下才可以合成制備。因此,α相為氮化硅原料粉體的主要晶相。

            氧化硅-2

            對(duì)于性能優(yōu)異的陶瓷材料如熱導(dǎo)率高的陶瓷基板、高性能軸承球來說,原料粉體不僅需要純度高,而且還需要滿足高α相、大比表面積、小粒徑等指標(biāo)。如瑞典Vesta公司以α相比例及比表面積大小將氮化硅粉體分為H、P、S及導(dǎo)熱基板四個(gè)級(jí)別;日本Denka以比表面積及粒徑將粉體分為兩個(gè)級(jí)別,兩家公司的共同點(diǎn)都為比表面積越高,粉體級(jí)別越高;級(jí)別越高的粉體才是制備高導(dǎo)熱陶瓷基板的原料。因?yàn)楦叩谋缺砻娣e,更有利于燒結(jié)過程中α相粉體的自擴(kuò)散,促進(jìn)了α相顆粒重排、溶解析出也稱α-b相變、固相擴(kuò)散,從而形成更為均勻的顯微結(jié)構(gòu)。

            TB400宣傳圖

            根據(jù)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T34216-2017,氮化硅的比表面積測(cè)試通過N2物理吸附法表征。精微高博自主研發(fā)的高性能靜態(tài)容量法JW-TB400比表面積及孔徑分析儀可測(cè)試其比表面積。對(duì)不同比表面積的氮化硅粉體重復(fù)測(cè)試,結(jié)果見表1。六個(gè)樣品的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差都小于1%,完全滿足科研及企業(yè)客戶對(duì)自研產(chǎn)品建立比表面積標(biāo)準(zhǔn)。

            不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)

            表1 不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)

            為了提高企業(yè)生產(chǎn)線的測(cè)試效率,精微高博自主研發(fā)了高效率的動(dòng)態(tài)容量法JW-DX400可快速檢測(cè)產(chǎn)品的比表面積。對(duì)不同比表面積的氮化硅粉體重復(fù)測(cè)試,結(jié)果見表2。其相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差都小于1%,完全滿足企業(yè)客戶生產(chǎn)線產(chǎn)品的高效檢測(cè)

            DX400宣傳圖

            表2 不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)

            表2 不同氮化硅比表面積數(shù)據(jù)


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