中國粉體網(wǎng)訊  近年來半導(dǎo)體設(shè)備的周期性正在減弱，行業(yè)增長趨勢加強(qiáng)。據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額將達(dá)到1085億美元的新高，較2021年1025億美元的行業(yè)紀(jì)錄增長5.9%。其中，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體測試設(shè)備市場銷售額為76億美元。而在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)量測設(shè)備市場中，科磊、應(yīng)用材料、日立高新技術(shù)等外國企業(yè)形成了巨頭壟斷優(yōu)勢，國產(chǎn)化率極低。在細(xì)分領(lǐng)域，F(xiàn)TIR晶圓量測設(shè)備也大多依賴國外廠商進(jìn)口。

作為較早布局半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的本土企業(yè)，華矽蓋澤半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（簡稱“蓋澤半導(dǎo)體”），針對晶圓類產(chǎn)品提供高精度光學(xué)檢測設(shè)備。目前，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶。

GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng)，可快速檢測晶圓厚度，實(shí)現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。

值得一提的是，對比國外友商同類型產(chǎn)品，蓋澤半導(dǎo)體檢測設(shè)備具有如下兩大優(yōu)勢：

兼容性強(qiáng)，可基于客戶需求進(jìn)行定制化。目前FTIR傅里葉紅外晶圓測量設(shè)備國內(nèi)市場嚴(yán)重依賴進(jìn)口，而進(jìn)口設(shè)備大多為預(yù)設(shè)程序，兼容性低，且無法為國內(nèi)企業(yè)進(jìn)行定制化改造。蓋澤半導(dǎo)體檢測設(shè)備可滿足客戶不同需求，按照客戶要求進(jìn)行設(shè)備定制化，如對接客戶MES系統(tǒng)或依據(jù)工程師習(xí)慣進(jìn)行軟件改進(jìn)，可大幅降低客戶的使用及維護(hù)成本。

測量時間更短，精度更高。GS-M06Y在測量硅晶圓速度、單片硅晶圓測量時間、測量精度、測試重復(fù)性、單點(diǎn)重復(fù)性等性能都達(dá)到了國際領(lǐng)先水平，部分性能甚至超越國外同類產(chǎn)品。

據(jù)集微網(wǎng)了解，此次出貨的設(shè)備與以往不同，此臺設(shè)備運(yùn)用蓋澤半導(dǎo)體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測技術(shù)，可對碳化硅外延精準(zhǔn)測量，是繼蓋澤半導(dǎo)體9月硅外延檢測設(shè)備出貨后，公司的又一里程碑。蓋澤半導(dǎo)體不僅突破了SiC外延檢測技術(shù)，還可實(shí)現(xiàn)一代半導(dǎo)體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導(dǎo)體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導(dǎo)體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測量。

目前，全球各大晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)，在復(fù)雜的地緣政治因素影響下，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎來發(fā)展良機(jī)，蓋澤半導(dǎo)體站在時代的風(fēng)口，不斷創(chuàng)新發(fā)展。多年來，蓋澤半導(dǎo)體在晶圓量測設(shè)備領(lǐng)域不斷深耕，憑借突出的技術(shù)優(yōu)勢以及優(yōu)秀的產(chǎn)品表現(xiàn)，為半導(dǎo)體晶圓前道量檢應(yīng)用場景提供了一系列可以替換進(jìn)口的國產(chǎn)化解決方案，致力擔(dān)綱國產(chǎn)化重任，力做國產(chǎn)晶圓量測設(shè)備領(lǐng)航者。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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