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            比亞迪半導體正規(guī)劃自建碳化硅產線


            來源:集微網

            [導讀]  據(jù)財聯(lián)社報道,比亞迪半導體產品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經走到5代,碳化硅MOSFET已經走到3代,第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建產線,預計到明年有自己的產線。

            中國粉體網訊  據(jù)財聯(lián)社報道,比亞迪半導體產品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經走到5代,碳化硅MOSFET已經走到3代,第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建產線,預計到明年有自己的產線。


            12月21日,比亞迪發(fā)布投資者調研公告,回答了中信證券等調研者關于IGBT、比亞迪半導體等相關的問題。


            比亞迪透露,在比亞迪市場化發(fā)展的戰(zhàn)略布局下,比亞迪半導體作為中國最大的車規(guī)級IGBT廠商,僅用42天即成功引入紅杉資本中國基金、中金資本、國投創(chuàng)新等知名投資機構,邁出了比亞迪市場化戰(zhàn)略布局的第一步。后續(xù)比亞迪將加快推進比亞迪半導體分拆上市工作,并著手培育更多具有市場競爭力的子公司實現(xiàn)市場化運營,不斷提升公司整體價值。


            (中國粉體網編輯整理/山川)


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