中國(guó)粉體網(wǎng)訊 9月28日，中國(guó)半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)軍者——無(wú)錫新潔能股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱(chēng)“新潔能”、股票代碼“605111”）在上交所主板正式掛牌上市，本次A股發(fā)行價(jià)為19.91元/股，發(fā)行數(shù)量為2530萬(wàn)股，保薦機(jī)構(gòu)（主承銷(xiāo)商）為平安證券股份有限公司。 

連續(xù)4年榮膺“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”

新潔能成立于2013年1月，專(zhuān)業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售。公司是專(zhuān)業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設(shè)計(jì)方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測(cè)試企業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封裝測(cè)試而成。公司已初步完成部分先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)線的建設(shè)，將部分芯片自主封裝成品后對(duì)外銷(xiāo)售。公司產(chǎn)品系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子以及新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。自2016年以來(lái)，公司連續(xù)4年名列中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”，為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)之一。

公司是高新技術(shù)企業(yè)，且為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)員、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事單位。公司亦為江蘇半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) 2017 年度先進(jìn)會(huì)員單位，已建立了江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)研究生工作站、東南大學(xué)-無(wú)錫新潔能功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。公司已獲得 2019 年度江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)，并獲得 2020 年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)提名。截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項(xiàng)專(zhuān)利，其中發(fā)明專(zhuān)利 35 項(xiàng)、實(shí)用新型 59 項(xiàng)，外觀設(shè)計(jì)3 項(xiàng)。此外，公司已通過(guò) ISO9001 質(zhì)量管理體系認(rèn)證等多項(xiàng)權(quán)威認(rèn)證。

率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，三季報(bào)營(yíng)收與凈利雙雙大幅預(yù)增

新潔能基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論，并量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一，是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一。

截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項(xiàng)專(zhuān)利，其中發(fā)明專(zhuān)利 35 項(xiàng)，發(fā)明專(zhuān)利數(shù)量和占比在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列；公司擁有的該等專(zhuān)利與MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進(jìn)工藝技術(shù)密切相關(guān)，對(duì)公司核心技術(shù)形成了專(zhuān)利保護(hù)，對(duì)同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)者和潛在競(jìng)爭(zhēng)者均形成了較高的技術(shù)壁壘。

此外，公司參與在IEEE等國(guó)際知名期刊中發(fā)表論文 13 篇，其中 SCI 收錄論文 7 篇，不斷提升公司自身在先進(jìn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的整體技術(shù)水平，縮小了與國(guó)際一流半導(dǎo)體功率器件企業(yè)的技術(shù)差距，拉大了與國(guó)內(nèi)同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)者的技術(shù)差距。

公司與科研院所在功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域開(kāi)展長(zhǎng)期合作，針對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。公司持續(xù)推進(jìn)高端 MOSFET、IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進(jìn)的超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對(duì)上述產(chǎn)品升級(jí)換代。公司目前亦率先在國(guó)內(nèi)研發(fā)基于12 英寸晶圓片工藝平臺(tái)的 MOSFET 產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已處于小批量風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)環(huán)節(jié)。公司還進(jìn)一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，開(kāi)展對(duì)SiC/GaN 寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索和產(chǎn)業(yè)化，緊跟最先進(jìn)的技術(shù)梯隊(duì)，提升公司核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)地位。

報(bào)告期各期（2017年度~2019年度），新潔能分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入50,375.98 萬(wàn)元、71,579.03 萬(wàn)元和 77,253.69 萬(wàn)元，凈利潤(rùn)分別為 5,189.11 萬(wàn)元、14,141.89 萬(wàn)元和 9,820.95 萬(wàn)元。

值得一提的是，新潔能預(yù)計(jì) 2020 年 1-9 月?tīng)I(yíng)業(yè)收入?yún)^(qū)間為 64,000.00 萬(wàn)元至 65,500.00 萬(wàn)元，同比上漲 18.05%至 20.82%；預(yù)計(jì) 2020 年1-9 月歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)區(qū)間為 9,200.00 萬(wàn)元至 9,700.00 萬(wàn)元，同比上漲 44.82%至 52.69%。

政策扶持、進(jìn)口替代！我國(guó)半導(dǎo)體分立器件業(yè)蘊(yùn)含巨大發(fā)展契機(jī)

目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到2473.9億元，2018年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件全年銷(xiāo)售規(guī)模為2658.4億元，較2017年增長(zhǎng)7.50%。從技術(shù)發(fā)展水平來(lái)看，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體技術(shù)水平仍與國(guó)際領(lǐng)先水平存在一定的差距。但隨著國(guó)家鼓勵(lì)政策的大力扶持、半導(dǎo)體分立器件國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)顯現(xiàn)，以及下游應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)的拉升，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)蘊(yùn)含著巨大的發(fā)展契機(jī)。

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口金額為281.8億美元，相較于2014年進(jìn)口額下降了10.20%。未來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件對(duì)進(jìn)口的依賴將會(huì)進(jìn)一步減弱，進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增強(qiáng)。

根據(jù)全球知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IHS 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2016 年、2017 年國(guó)內(nèi)MOSFET 市場(chǎng)份額分別為 22.07 億美元、26.39 億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別占國(guó)內(nèi) MOSFET 市場(chǎng)份額比例分別為（年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司為除英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞薩電子（Renesas Electronics）等 9 家外資品牌外的國(guó)內(nèi)排名前茅的 MOSFET研發(fā)設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售本土企業(yè)。根據(jù) IHS、電子工程世界網(wǎng) Yole 相關(guān)數(shù)據(jù)，2018 年全球 MOSFET 市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 76 億美元，比照 Yole 關(guān)于國(guó)內(nèi)功率器件占全球份額約 39%測(cè)算，國(guó)內(nèi) 2018 年 MOSFET 市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到 29.64 億美元，新潔能占國(guó)內(nèi) MOSFET 市場(chǎng)份額比例達(dá) 3.65%。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 指出在各類(lèi)半導(dǎo)體功率器件組件中，未來(lái)增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET與 IGBT 模塊。

新潔能本次發(fā)行募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后，將主要用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”及“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。

對(duì)于公司的發(fā)展戰(zhàn)略，新潔能董事長(zhǎng)、總經(jīng)理朱袁正先生在上市路演中表示：作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)先企業(yè)，公司將專(zhuān)注于中高端半導(dǎo)體功率器件和模塊的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售。在保持MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上，公司將不斷引進(jìn)各類(lèi)管理、技術(shù)、營(yíng)銷(xiāo)人才，構(gòu)建高效、現(xiàn)代化的經(jīng)營(yíng)管理體系，進(jìn)一步拓展MOSFET產(chǎn)品、重點(diǎn)深化IGBT產(chǎn)品，成為國(guó)內(nèi)自主創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先、品質(zhì)高端的自主品牌的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。同時(shí)，公司將進(jìn)一步加大研發(fā)投入，持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈，掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化鎵）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，加快發(fā)展成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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