中國粉體網(wǎng)訊  第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導(dǎo)體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。目前，第三大半導(dǎo)體材料市場呈現(xiàn)出美日歐玩家領(lǐng)先的格局。相比之下，中國的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)稍顯貧弱，在技術(shù)領(lǐng)先度、市場份額占比等方面較落后。

有消息稱，中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面對第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的建設(shè)也在加碼。2020年7月20日，投資160億元、占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”，在長沙高新區(qū)啟動開工建設(shè)。而在此之前，華為旗下的哈勃科技投資有限公司出手投資了國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料公司，該公司是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。

據(jù)市場分析機(jī)構(gòu)賽迪顧問統(tǒng)計，2019年在射頻器件領(lǐng)域氮化鎵占比超過30%，氮化鎵市場規(guī)模約5.6億美元；到2025年，氮化鎵在射頻器件領(lǐng)域占比有望超過50%，市場規(guī)模有望沖破30億美元。碳化硅方面，2019年全球碳化硅市場規(guī)模約5.4億美元，在2025年有望達(dá)到30億美元，汽車市場將成為碳化硅市場規(guī)模增長的重要驅(qū)動力。5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向，而碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘。

三安光電近年來不斷布局氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）等產(chǎn)品陸續(xù)出貨，正式宣告跨界氮化鎵領(lǐng)域。

亞光科技主要專注于III-V化合物半導(dǎo)體工藝尤其是寬禁帶半導(dǎo)體，用于制造高頻高功率器件。公司很早就開發(fā)了氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品，　技術(shù)水平處于業(yè)內(nèi)相對領(lǐng)先地位。

有研新材積極推進(jìn)半導(dǎo)體靶材、稀土磁材、紅外光學(xué)材料、生物醫(yī)用材料等重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展。

智光電氣在互動平臺上表示，參股公司粵芯半導(dǎo)體聯(lián)合中標(biāo)工信部半導(dǎo)體、芯片、關(guān)鍵零部件等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)公告服務(wù)平臺建設(shè)項(xiàng)目，此建設(shè)項(xiàng)目面向第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片制造技術(shù)，開展“卡脖子”核心裝備研制，重點(diǎn)解決高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技術(shù)等難題。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

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