中國(guó)粉體網(wǎng)訊 8月28日，露笑科技發(fā)布半年度報(bào)告稱，公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為11.45億元，同比下降9.10%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為1.51億元，同比增長(zhǎng)3.21%。
露笑科技稱，營(yíng)業(yè)收入下降主要系受新冠肺炎疫情影響，傳統(tǒng)制造行業(yè)下游客戶復(fù)工復(fù)產(chǎn)緩慢，訂單量減少所致，歸屬于母公司股東凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)，主要系報(bào)告期內(nèi)公司光伏發(fā)電業(yè)務(wù)受疫情影響較小，持續(xù)穩(wěn)定為公司提供利潤(rùn)。下半年，公司將在保持平穩(wěn)運(yùn)營(yíng)的前提下，積極投資布局碳化硅戰(zhàn)略興業(yè)產(chǎn)業(yè)，公司已與合肥市長(zhǎng)豐縣簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，未來公司將與合肥市長(zhǎng)豐縣人民政府在合肥市長(zhǎng)豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，項(xiàng)目投資總規(guī)模預(yù)計(jì)100億元。
碳化硅是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進(jìn)程分為：第一代半導(dǎo)體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對(duì)應(yīng)高擊穿電場(chǎng)和高功率密度）、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率，將是未來最被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
碳化硅晶片經(jīng)外延生長(zhǎng)后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G 通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過近30年研究和開發(fā)，碳化硅襯底和功率器件制造技術(shù)在近年逐步成熟，并快速推廣應(yīng)用，正在掀起一場(chǎng)節(jié)能減排和新能源領(lǐng)域的巨大變革。
伴隨新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件的使用需求大幅增加。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2018 年全球功率器件的銷售額增長(zhǎng)率為 14%，達(dá)到 163 億美元。未來，隨著碳化硅和氮化鎵功率器件的加速發(fā)展，全球功率器件的銷售額預(yù)計(jì)將持續(xù)保持增長(zhǎng)。
射頻功率器件為碳化硅材料應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。隨著全球 5G 通訊技術(shù)的發(fā)展和推廣，5G 基站建設(shè)將為射頻器件帶來新的增長(zhǎng)動(dòng)力。據(jù)Yole Development 預(yù)測(cè)，2025年全球射頻器件市場(chǎng)將超過250 億美元，其中射頻功率放大器市場(chǎng)規(guī)模將從 2018 年的 60 億美元增長(zhǎng)到2025 年的 104 億美元，而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著5G 市場(chǎng)對(duì)碳化硅基氮化鎵器件需求的增長(zhǎng)，半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長(zhǎng)。
碳化硅基氮化鎵外延射頻功率器件市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)。根據(jù) Yole 和CREE 預(yù)測(cè)，受益 5G 的普及與 5G 基站的建設(shè)，碳化硅基氮化鎵外延功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從 2018 年 6.45 億美金增長(zhǎng)到 2024 年的 20 億美金，年均復(fù)合增速達(dá) 20.76%， 2027年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到35億美金。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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