中國粉體網(wǎng)訊  捷捷微電(300623)2019年度業(yè)績網(wǎng)上說明會周二下午在全景網(wǎng)舉辦，公司董事長、總經(jīng)理黃善兵表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截止至2020年4月28日，公司擁有碳化硅、氮化鎵相關(guān)實用新型專利4件，公司還有4個發(fā)明專利，1個實用新型專利尚在申請受理中。

　　此外，公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段。

　　公司目前有兩個團隊，公司于2017年成立的MOSFET事業(yè)部，研發(fā)團隊設在無錫市傳感器產(chǎn)業(yè)園，該團隊主要研究功率MOS；上海捷捷團隊：創(chuàng)始團隊由來自業(yè)界國際知名半導體公司的核心研發(fā)和管理人員組成，將堅守品質(zhì)、持續(xù)創(chuàng)新，充分發(fā)揮技術(shù)和經(jīng)驗優(yōu)勢，把低功耗、節(jié)能環(huán)保和高頻高效功率器件作為技術(shù)創(chuàng)新的突破目標，著力攻克 MOSFET SGT 等關(guān)鍵核心技術(shù)，助力整個捷捷微電平臺的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。產(chǎn)品應用端將努力抓住替代進口存量市場，并深入 5G、汽車電子、光伏、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制和智能電子化等新需求。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

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