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            碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)商機(jī)巨大 廠商如何把握?


            來(lái)源:慧聰網(wǎng)

            [導(dǎo)讀]  隨著此類第三代半導(dǎo)體材料具有更高效節(jié)能、更高功率等優(yōu)勢(shì),更適用在5G通訊、超高壓產(chǎn)品如電動(dòng)車領(lǐng)域,未來(lái)市場(chǎng)成長(zhǎng)看好。

            中國(guó)粉體網(wǎng)訊  第三代半導(dǎo)體材料受市場(chǎng)關(guān)注,包括碳化硅(SiC)材料以及氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,臺(tái)積電也于上周宣布與意法半導(dǎo)體合作切入氮化鎵市場(chǎng),半導(dǎo)體業(yè)者包括環(huán)球晶、合晶、太極、嘉晶(3016)以及母公司漢磊、茂硅、世界、精材等廠商開(kāi)始也切入此領(lǐng)域。


             隨著此類第三代半導(dǎo)體材料具有更高效節(jié)能、更高功率等優(yōu)勢(shì),更適用在5G通訊、超高壓產(chǎn)品如電動(dòng)車領(lǐng)域,未來(lái)市場(chǎng)成長(zhǎng)看好,但事實(shí)上,碳化硅以及氮化鎵產(chǎn)品在市場(chǎng)上已久,但一直未可大量量產(chǎn),技術(shù)上進(jìn)入門檻相當(dāng)高,市場(chǎng)商機(jī)是否都可雨露均霑,恐怕仍有考驗(yàn)。 


            第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)潛力看好


             據(jù)半導(dǎo)體材料分類,第一代半導(dǎo)體材料包括鍺以及硅,也是目前最大宗的半導(dǎo)體材料,成本相對(duì)便宜,制程技術(shù)也最為成熟,應(yīng)用領(lǐng)域在信息產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè);第二代半導(dǎo)體材料則包括GaAs以及磷化銦,主要應(yīng)用在通訊產(chǎn)業(yè)以及照明產(chǎn)業(yè);而第三代半導(dǎo)體才以碳化硅以及氮化鎵為代表,則可應(yīng)用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領(lǐng)域。


             至于碳化硅以及氮化鎵雖然同為第三代半導(dǎo)體材料,但應(yīng)用略有不同,氮化鎵主要用在中壓領(lǐng)域約600伏特的產(chǎn)品,一部分會(huì)與硅材料的市場(chǎng)重疊,但氮化鎵有很好的移動(dòng)性,適用在頻率高的產(chǎn)品,此特性在基地臺(tái)、5G等高速產(chǎn)品就會(huì)很有優(yōu)勢(shì);而碳化硅則可以用在更高壓,如上千伏的產(chǎn)品,包括電動(dòng)車用、高鐵或工業(yè)用途,具有很好的耐高溫以及高壓特性。


             也因如此,以碳化硅晶圓為例,市場(chǎng)更看好其在車用市場(chǎng)的應(yīng)用,包括充電樁、新能源車以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement表示,碳化硅晶圓到2023年時(shí)市場(chǎng)規(guī)?蛇_(dá)15億美金,年復(fù)合成長(zhǎng)率逾31%;而用在通訊元件領(lǐng)域,到2023年市場(chǎng)也可達(dá)13億美金,年復(fù)合成長(zhǎng)率則可達(dá)23%,商機(jī)受矚。 


            最大挑戰(zhàn):量產(chǎn)難度高 


            也因?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料后市看俏,所以也有不少?gòu)S商很早就開(kāi)始投入研發(fā),可望成為下一代的明日之星,惟就業(yè)者表示,要生產(chǎn)一片碳化硅晶圓并不難,困難的是要怎么從一片到一百片、一千片的量產(chǎn)能力,這些都受限技術(shù)、專利以及成本門檻,造成量產(chǎn)的挑戰(zhàn)。 以碳化硅來(lái)說(shuō),技術(shù)難度在于第一、在長(zhǎng)晶的源頭晶種來(lái)源就要求相當(dāng)高的純度、取得困難。 


            第二,長(zhǎng)晶的時(shí)間相當(dāng)長(zhǎng),以一般硅材料長(zhǎng)晶來(lái)說(shuō),平均約3-4天即可長(zhǎng)成一根晶棒,但碳化硅晶棒則約需要7天,由于長(zhǎng)晶過(guò)程中要隨著監(jiān)測(cè)溫度以及制程的穩(wěn)定,以免良率不佳,故時(shí)間拉長(zhǎng)更增添長(zhǎng)晶制作過(guò)程中的難度。


             第三則是長(zhǎng)晶棒的生成,一般的硅晶棒約可有200公分的長(zhǎng)度,但長(zhǎng)一根碳化硅的長(zhǎng)晶棒只能長(zhǎng)出2公分,造成量產(chǎn)的困難。


             打群架較容易突破困局 


            雖然第一代的硅材料原料上取得方便,制程技術(shù)又相對(duì)成熟,但在高頻高壓的應(yīng)用領(lǐng)域上,效能不如碳化硅或氮化鎵產(chǎn)品,隨著5G等應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大,第一代的硅材料優(yōu)勢(shì)受到壓抑,而第三代半導(dǎo)體材料的成長(zhǎng)將成為趨勢(shì),使業(yè)者不得不關(guān)注并切入此領(lǐng)域。


             但除了技術(shù)和生產(chǎn)上的困難外,材料的開(kāi)發(fā)還是需要下游應(yīng)用的配合,所以單獨(dú)切入研發(fā)相對(duì)困難,還是需要上下游的互相合作,合晶則表示,公司一直有在關(guān)注碳化硅或氮化鎵,也認(rèn)同此為趨勢(shì)上的產(chǎn)品,目前也啟動(dòng)策略合作的評(píng)估,未來(lái)會(huì)需要打群架,如CREE與英飛凌結(jié)盟,除了技術(shù)上的合作,更可以確保未來(lái)上游材料的取得以及下游確保出?。


            (中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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