中國(guó)粉體網(wǎng)訊 碳化硅是目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車(chē)、電源、軍工、航天等領(lǐng)域具有廣闊的市場(chǎng)前景。
碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封 裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。
國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè)
襯底企業(yè)
天科合達(dá)
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。公司為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一。
總部公司設(shè)在北京市大興區(qū)生物醫(yī)藥基地，擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長(zhǎng)-晶體加工-晶片加工-清洗檢測(cè)的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地；全資子公司—新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司位于新疆石河子市，主要進(jìn)行碳化硅晶體生長(zhǎng)。
山東天岳
山東天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半導(dǎo)體襯底材料為主的高新技術(shù)企業(yè)。公司投資建成了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化基地，具備研發(fā)、生產(chǎn)國(guó)際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件，是我國(guó)第三代半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)的先進(jìn)企業(yè)。
河北同光晶體
河北同光晶體有限公司成立于2012年，位于保定市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平。目前，公司已建成完整的碳化硅襯底生產(chǎn)線，是國(guó)內(nèi)著名的碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)。
中科集團(tuán)2所
中科集團(tuán)二所成立于1962年，是專(zhuān)業(yè)從事電子先進(jìn)制造技術(shù)研究和電子專(zhuān)用設(shè)備研發(fā)制造的國(guó)家級(jí)研究所。目前，二所已形成以液晶顯示器件生產(chǎn)設(shè)備、半導(dǎo)體及集成電路制造設(shè)備、特種工藝設(shè)備為主的電子專(zhuān)用設(shè)備和以太陽(yáng)能多晶硅片、三代半導(dǎo)體SiC單晶拋光片為主的半導(dǎo)體材料兩大業(yè)務(wù)方向，能夠?yàn)橛脩籼峁┕に嚭驮O(shè)備的系統(tǒng)集成服務(wù)。
外延片企業(yè)
東莞天域半導(dǎo)體
天域成立于2009年，是中國(guó)第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)、研發(fā)和制造的私營(yíng)企業(yè)。2010年，天域與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所。
廈門(mén)瀚天天成
瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司成立于2011年3月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè)，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)線，并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。
器件/模組企業(yè)
泰科天潤(rùn)
泰科天潤(rùn)是中國(guó)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者，并擁有目前國(guó)內(nèi)唯一碳化硅器件生產(chǎn)線。作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中600V/5A～50A，1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。
嘉興斯達(dá)
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售服務(wù)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)�？偛课挥谡憬闻d，在上海和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲設(shè)有研發(fā)中心，是目前國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
中車(chē)時(shí)代電氣
株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司是中國(guó)中車(chē)旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司創(chuàng)立于1959年。
2017年12月，中車(chē)時(shí)代電氣總投資3.5億元人民幣的6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)基地技術(shù)調(diào)試成功，2018年1月首批芯片試制成功。這是國(guó)內(nèi)首條6英寸碳化硅生產(chǎn)線，獲得了國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng) ”、國(guó)家發(fā)改委新材料專(zhuān)項(xiàng)等國(guó)家重點(diǎn)項(xiàng)目支持，是中車(chē)時(shí)代電氣的重點(diǎn)投資項(xiàng)目之一，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管和MOSFET芯片工藝流程整合，成功試制1200V碳化硅肖特基二極管功率芯片。
揚(yáng)杰科技
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售于一體，專(zhuān)業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
公司主營(yíng)產(chǎn)品為各類(lèi)電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、安防、工控、汽車(chē)電子、新能源等諸多領(lǐng)域。
參考資料：
半導(dǎo)體圈子.國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體（氮化鎵 碳化硅）廠商盤(pán)點(diǎn)
全球半導(dǎo)體觀察.國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤(pán)點(diǎn)
劉興昉、陳宇.碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
各公司官網(wǎng)
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