中國(guó)粉體網(wǎng)6月3日訊 在硅芯片設(shè)計(jì)規(guī)則往原子等級(jí)邁進(jìn)的過(guò)程中,
石墨烯(graphene)被認(rèn)為可以清除許多障礙,能制作尺寸更小、性能更好的純碳組件。但有一個(gè)問(wèn)題在于,在納米等級(jí),組件規(guī)格必須要達(dá)到原子精度(atomic accuracy),包括接近完美邊緣(perfect edges)與單分子層(monolayers)。
美國(guó)能源部所屬的橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Oak Ridge National Laboratory)正在打造一套可制作完美
石墨烯薄片的工具;該實(shí)驗(yàn)室最近還發(fā)現(xiàn),電子輻射(electron radiation)能避免單分子層之間的連結(jié)。研究人員利用超級(jí)計(jì)算機(jī)仿真了采用量子分子動(dòng)力(quantum molecular dynamic)制作石墨烯的過(guò)程,并宣稱已開(kāi)發(fā)出能制作完美邊緣與單分子層石墨烯的全新方法。
去年該研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一種稱為“焦耳加熱(Joule heating)”的方法,采用電流將石墨烯邊緣修整至完美,但所付出的代價(jià)是會(huì)產(chǎn)生讓單分子層鏈接的結(jié)構(gòu)性回路(structural loops)。在超級(jí)計(jì)算機(jī)仿真中,通過(guò)采用量子分子動(dòng)力做為中間步驟,研究人員開(kāi)發(fā)出了一種全新的邊緣形成(edge-formation)制程,而且已經(jīng)能控制該步驟、優(yōu)化石墨烯生產(chǎn)制程。
該研究團(tuán)隊(duì)并表示,在該邊緣形成制程中采用電子輻射,就能避免在制作過(guò)程中產(chǎn)生讓石墨烯單分子層連結(jié)的回路。
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