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            金屬襯底上石墨烯低溫生長(zhǎng)的微觀機(jī)理研究獲進(jìn)展


            來(lái)源:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)

            標(biāo)簽石墨烯

            中國(guó)粉體網(wǎng)6月3日訊  近日,微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室張振宇教授理論研究組與國(guó)內(nèi)外相關(guān)課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究方面取得了系列進(jìn)展,研究成果發(fā)表在Phys. Rev. Lett,ACS Nano 和 Scientific Reports上。

            石墨烯,即單層碳原子蜂窩狀結(jié)構(gòu)。由于其具有獨(dú)特的力、熱、光、電等特性,在諸多領(lǐng)域都有誘人的應(yīng)用前景。2004年,英國(guó)科學(xué)家安德烈·杰姆和克斯特亞·諾沃消洛夫等人首次通過(guò)膠帶法(Scoth Tape)機(jī)械剝離石墨塊體制備出石墨烯,兩人2010年因此工作獲得諾貝爾物理獎(jiǎng)。此后,制備石墨烯的新方法層出不窮,尤其是通過(guò)非平衡表面生長(zhǎng),有望獲得大規(guī)模高質(zhì)量的石墨烯樣品。

            2009年,美國(guó)德州大學(xué)奧斯汀分校Ruoff研究組利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)在銅薄片襯底上成功生長(zhǎng)出較大面積的單層石墨烯,從而使銅襯底成為催化石墨烯生長(zhǎng)的最佳選擇。張振宇研究組與美國(guó)田納西大學(xué)朱文光博士合作(后者作為中組部“青年****”,已于近期全職回到科大),利用基于第一性原理的密度泛函理論計(jì)算,研究了石墨烯在金屬襯底上外延生長(zhǎng)初期的碳原子凝聚行為,闡明了銅作為催化襯底之所以?xún)?yōu)于其他金屬,是由于更容易遍地成核 (Phys. Rev. Lett. 104, 186101 (2010))。這一機(jī)理雖然有利于石墨烯生長(zhǎng),但“遍地開(kāi)花”的成核過(guò)程會(huì)導(dǎo)致大量的晶界,嚴(yán)重降低了石墨烯的質(zhì)量。針對(duì)這一難題,該團(tuán)隊(duì)又設(shè)計(jì)了一種合適的超結(jié)構(gòu)合金表面,基于“成核-生長(zhǎng)”兩步動(dòng)力學(xué)途徑,有效地抑制生長(zhǎng)過(guò)程中晶界的形成,為大規(guī)模制備高質(zhì)量的單晶石墨烯提供了一種新思路 (Phys. Rev. Lett. 109, 265507 (2012))。另一方面,常規(guī)的基于氣態(tài)碳源的銅表面石墨烯生長(zhǎng)需要1000℃左右的高溫。在此高溫下,不僅反應(yīng)能耗增加,也很難有效調(diào)控石墨烯的有序生長(zhǎng)。最近,曾長(zhǎng)淦研究組另辟蹊徑,采用液態(tài)苯作為碳源,將生長(zhǎng)溫度大大降低至300℃ (ACS Nano 5, 3385–3390 (2011))。這是目前世界上已有報(bào)道里石墨烯CVD 生長(zhǎng)的最低溫度。

            張振宇研究組博士后研究員Jin-Ho Choi博士與曾長(zhǎng)淦教授研究組合作的最新研究,更好地理解了金屬襯底上石墨烯低溫生長(zhǎng)的微觀機(jī)理。Choi首先在理論上預(yù)言L(fǎng)ondon色散力(主要指范德華力吸引力)在石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程中各種微妙而相互競(jìng)爭(zhēng)的化學(xué)反應(yīng)中起著決定性的作用:芳香性分子具有增強(qiáng)的London色散力,可有效阻止吸附分子從表面上的脫附,并進(jìn)而促進(jìn)必要的脫氫反應(yīng)。因此,采用尺寸較大的芳香性分子代替典型的甲烷做碳源,可以實(shí)現(xiàn)石墨烯的低溫生長(zhǎng)。曾長(zhǎng)淦研究組新的實(shí)驗(yàn)精確驗(yàn)證了這一預(yù)言并進(jìn)一步擴(kuò)展了這一機(jī)制的適用空間。當(dāng)采用一種新的、更大的芳香性分子(對(duì)三聯(lián)苯)作為碳源時(shí),在300°C甚至更低的溫度下即可獲得大面積高質(zhì)量的單層石墨烯。通過(guò)拉曼光譜、光透射譜和掃描隧道顯微鏡圖像,清楚地表明所生成的石墨烯是單分子層厚度。London色散力是由普遍存在的瞬時(shí)偶極引起的,本質(zhì)上無(wú)處不在;因此,該工作對(duì)表面納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)具有普適的重要性。該研究成果以“Drastic reduction in the growth temperature of graphene on copper via enhanced London dispersion force”為題,于2013年5月31日發(fā)表(Scientific Reports 3,1925 (2013))。

            上述研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、中科院外籍青年科學(xué)家基金、韓國(guó)海外博士后基金、科技部等資助。

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