中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日,浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心(簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室)經(jīng)過(guò)系列技術(shù)攻關(guān),在大尺寸碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)及其襯底制備方面取得突破,成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)27毫米的8[更多]
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