中國粉體網(wǎng)訊 20世紀(jì)50年代起半導(dǎo)體材料開始發(fā)展,至今為止開啟了第三代半導(dǎo)體的時(shí)代。碳化硅(SiC)憑借眾多優(yōu)良性能,使其成為基于寬帶隙半導(dǎo)體的高溫、高電壓、大功率、高頻電子器件和傳感器的襯底上的理想材料。與此同時(shí),近年來[更多]
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