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            SiC粉
            
    
            
    
            

            

            推薦求解|高純碳粉如何達到6N以上？
            
	
            中國粉體網訊 20世紀50年代起半導體材料開始發(fā)展，至今為止開啟了第三代半導體的時代。碳化硅（SiC）憑借眾多優(yōu)良性能，使其成為基于寬帶隙半導體的高溫、高電壓、大功率、高頻電子器件和傳感器的襯底上的理想材料。與此同時，近年來[更多]
            
            
            
              資訊
高純碳粉高純石墨碳化硅半導體SiC粉
            
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