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        SiC襯底
        
    
        
    
        

        

        推薦關(guān)于召開“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)”的通知
        
	
        中國粉體網(wǎng)訊 隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國“十四五”規(guī)劃已[更多]
        
            
        
              資訊
第三代半導(dǎo)體材料SiC晶體SiC外延SiC襯底SiC晶片加工
        
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        中國粉體網(wǎng)
        
          
      
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