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產(chǎn)品概述：

氣相沉積爐可用于在特定壓力下將金屬鹵化物、金屬有機物、碳氫化合物等反應(yīng)源加熱氣化后在目標材料表面反應(yīng)生成固態(tài)沉積物的設(shè)備。也用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的復合材料的化學氣相沉積，如C/C復合材料、SiC復合材料等的CVD、CVI處理。

產(chǎn)品特點：

1）在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好）。

3）采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進化學反應(yīng)，使沉積可在較低的溫度下進行。

4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)，不耐彎曲，但可通過各種技術(shù)對化學反應(yīng)進行氣相擾動，以改善其結(jié)構(gòu)。

8）可以通過各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。