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適用于高容、高壓鎳電極片式陶瓷電容器芯片快燒工藝，中在氮?dú)夥障逻M(jìn)行再氧化工藝燒結(jié)，可以代替日本、韓國進(jìn)口再氧化爐。

技術(shù)參數(shù)：

技術(shù)特點(diǎn)：
*爐膛耐火材料采用輕質(zhì)無機(jī)材料和納米材料砌筑，節(jié)能環(huán)保，保溫性能優(yōu)于進(jìn)口同類設(shè)備。
*溫區(qū)溫度獨(dú)立控制，控溫精度高，溫度均勻性好。
*爐膛進(jìn)氣采用質(zhì)量流量計(jì)和數(shù)顯轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制，氣氛控制精準(zhǔn)，滿足工藝需求。
*網(wǎng)帶輸送平穩(wěn)，有自動(dòng)糾偏功能。
*智能自動(dòng)化控制系統(tǒng)，可存貯30條工藝曲線，配置遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集、監(jiān)測功能。
*適合大批量生產(chǎn)，滿足客戶工藝需求，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。