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DECTRIS混合像素X射線探測(cè)器
一、EIGER2 R探測(cè)器系列
1、產(chǎn)品特點(diǎn):
在DECTRIS公司所有應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室的探測(cè)器產(chǎn)品系列中,EIGER2 R系列探測(cè)器結(jié)合了所有混合光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的***技術(shù)。 它所具有的雙能量識(shí)別有助于在微弱信號(hào)和長(zhǎng)時(shí)間曝光的條件下進(jìn)行背景抑制和提高信噪比。其優(yōu)越的計(jì)數(shù)率性能可以準(zhǔn)確地測(cè)量極高強(qiáng)度的X射線。利用該系列探測(cè)器的巨大動(dòng)態(tài)范圍,可以在零死時(shí)間同步讀/寫(xiě)的狀態(tài)下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間曝光。由于具備可選擇的真空兼容性,從而使空氣和窗口所產(chǎn)生的吸收和散射*小化。小尺寸像素與X射線直接探測(cè)相結(jié)合,提高了空間分辨率和角度分辨率,可以進(jìn)行精細(xì)地測(cè)量樣品并具有寬泛的倒易空間??梢栽谌N不同的型號(hào)中進(jìn)行選擇以滿(mǎn)足您的需求。
2、核心優(yōu)勢(shì):
– 雙能識(shí)別有助于抑制低能量和高能量的背景
– 由于零背景噪音和同時(shí)讀寫(xiě),所以具有很高的動(dòng)態(tài)范圍
– 小尺寸像素和優(yōu)秀的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)有助于獲得高的空間分辨率
– 可定制在真空環(huán)境下使用;
– 免維護(hù)
3、應(yīng)用領(lǐng)域:
- 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS);
- 大分子晶體學(xué)(MX);
- 化學(xué)結(jié)晶學(xué);
- 單晶衍射(SCD);
- 粉末衍射(PD);
- X射線成像;
- 表面衍射;
- 漫散射。
4、技術(shù)參數(shù):
EIGER2 R | 500K | 1M | 4M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 | 1 x 2 | 2 x 4 |
有效面積:寬x高 [mm2] | 77.2 x 38.6 | 77.2 x 79.9 | 155.2 X 162.5 |
像素大小 [μm2] | 75 x 75 | ||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel | ||
能量閾值 | 2 | ||
閾值范圍(KeV) | 4-11 | 3.5-30 | 3.5-30 |
**計(jì)數(shù)率(cps/mm2) | 3.6×108 | ||
計(jì)數(shù)器深度(bit/threshold) | 2×16 | ||
采集模式 | 同時(shí)讀/寫(xiě),死區(qū)時(shí)間為零 | ||
圖像位深度(bit) | 32 | ||
可選真空兼容 | Yes | ||
冷卻方式 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 |
尺寸(WHD)[mm3] | 100 x 140 x 93 | 114 x 133 x 240 | 235 x 235 x 372 |
重量 [kg] | 1.8 | 3.9 | 15 |
二、MYTHEN探測(cè)器系統(tǒng)
1、產(chǎn)品特點(diǎn):
MYTHEN探測(cè)器系統(tǒng)完全轉(zhuǎn)變了X-射線粉末衍射晶體學(xué)的標(biāo)準(zhǔn)定義,呈現(xiàn)出另一個(gè)層面:時(shí)間。這一令人振奮的新領(lǐng)域與MYTHEN2 X 探測(cè)器**結(jié)合,開(kāi)啟了時(shí)間分辨和現(xiàn)場(chǎng)研究的新紀(jì)元?;贛YTHEN的條帶尺寸和點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù), MYTHEN2 X 在**動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)引入了****的幀速率,挑戰(zhàn)了能量范圍的極限。帶有電子門(mén)控和外部觸發(fā)的探測(cè)器控制系(DCS4)兼顧了定制化的多模塊解決方案以及與其他系統(tǒng)完全同步顧了定制化的多模塊解決方案以及與其他系統(tǒng)完全同步的探測(cè)器。時(shí)間層面并不是促使數(shù)據(jù)質(zhì)量和系統(tǒng)靈活性之間的平衡,無(wú)論從現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)力測(cè)量到快速相變,MYTHEN2 X 深化了其細(xì)節(jié),并能夠在固態(tài)反應(yīng)中進(jìn)行觀察。MYTHEN2 X 探測(cè)器是為對(duì)速度和數(shù)據(jù)質(zhì)量無(wú)任何限制的高要求的用戶(hù)而設(shè)計(jì)。
2、核心優(yōu)勢(shì):
- 1000赫茲幀率;
- 兩個(gè)模塊組合:1280和640數(shù)據(jù)帶;
- X-射線能量低至4keV的短數(shù)據(jù)帶;
- 適用于PDF測(cè)量的厚傳感器;
- 多模塊系統(tǒng)滿(mǎn)足您的要求;
- 緊湊型外觀,對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì);
- 無(wú)需維護(hù)和載體。
3、應(yīng)用領(lǐng)域:
- 時(shí)間分辨試驗(yàn);
- X射線粉末衍射和散射技術(shù);
- 殘余應(yīng)力測(cè)量;
- 薄膜與紋理分析;
- PDF分析;
- SAXS, WAXS, GISAXS;
- 色散熒光光譜。
4、技術(shù)參數(shù):
MYTHEN2 X | 1K | 1D |
微帶數(shù)量 | 1280 | 640 |
傳感器厚度 [μm] | 320,450,1000 | |
微帶寬度 [μm] | 50 | |
微帶長(zhǎng)度 [mm] | 8 and 4 (320 μm only) | |
有效面積(寬*高)[mm2] | 64 x 8 | 32 x 8 , 32 x 4 |
動(dòng)態(tài)范圍 [bit] | 24 | |
能量范圍 [KeV] | 4-40* | |
讀出時(shí)間 [μs] | 89 | |
幀頻 [Hz] | 1000 | |
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) [strip] | 1 | |
能量分辨率2(r m s)[ev] | 687+5 | |
冷卻方式 | 風(fēng)冷 | |
模塊尺寸(WHD)[mm3] | 70 x 62 x 22 | 38 x 62 x 22 |
模塊重量 [g] | 180 | 100 |
DCS4尺寸(WHD)[mm3] | 110 x 30 x 160 | |
DCS4重量 [g] | 400 |
*低于4KeV的X-ray能量?jī)H適用于320μm x 4mm的傳感器。
注:所有規(guī)格如有變更,不做另行通知。
PILATUS3 R探測(cè)器系列:
三、
1、產(chǎn)品特點(diǎn):
PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)(HPC)探測(cè)器經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì),旨在實(shí)現(xiàn)**的數(shù)據(jù)質(zhì)量。該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù),并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù):?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的獨(dú)特優(yōu)勢(shì): DECTRIS 的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)配合 PILATUS3 獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),充分提升了計(jì)數(shù)率和計(jì)數(shù)率的準(zhǔn)確校正。
PILATUS3 R 探測(cè)器的高計(jì)數(shù)率,使得其在處理高強(qiáng)度信號(hào)時(shí)顯示了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 DECTRIS 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)可被用來(lái)準(zhǔn)確測(cè)量具有高強(qiáng)度衍射的樣品,如小分子或無(wú)機(jī)復(fù)合物樣品的高強(qiáng)度衍射峰。
單光子計(jì)數(shù)可消除所有的探測(cè)器噪音,從而得到優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)相對(duì)于同步輻射,實(shí)驗(yàn)室中的X射線源要微弱得多,只能得到較為微弱的衍射信號(hào),因此通常需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間。由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音, PILATUS3 R 系列探測(cè)器比其它實(shí)驗(yàn)室用探測(cè)器具有更優(yōu)的性能。
HPC 技術(shù)使得該系列探測(cè)器可直接探測(cè)X射線,比閃爍器探測(cè)器所產(chǎn)生的信號(hào)更為清晰。讀出時(shí)間短并能連續(xù)采集信號(hào)的 PILATUS3 R 系列探測(cè)器可高效輸出優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù);較低的功耗和冷卻要求可確保您輕松使用并**限度的減少維護(hù)工作量。
PILATUS3 R 系列探測(cè)器專(zhuān)為您的實(shí)驗(yàn)室需求而量身定制,可提供****的同步輻射成熟技術(shù)。具有獨(dú)特性能的PILATUS3 R 系列探測(cè)器,可助您從**挑戰(zhàn)性的樣品中采集到**質(zhì)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2、核心優(yōu)勢(shì):
– 可在單光子計(jì)數(shù)模式下直接探測(cè)X射線;
– DECTRIS即時(shí)觸發(fā)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)全程連續(xù)計(jì)數(shù);
– **的局部和整體計(jì)數(shù)率;
– 準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率校正,可在**計(jì)數(shù)率條件下獲得**數(shù)據(jù)質(zhì)量;
– 無(wú)讀出噪音和暗電流;
– 出色的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù);
– 高動(dòng)態(tài)范圍;
– 讀出時(shí)間短,幀頻高。
3、應(yīng)用領(lǐng)域:
– 生物大分子晶體學(xué)(MX);
– 單晶衍射(SCD);
– X射線衍射(XRD);
– 小角和廣角X射線散射(SAXS/WAXS);
– 表面衍射;
– 漫散射;
– 時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn);
– 成像;
– 無(wú)損檢測(cè)。
4、技術(shù)參數(shù):
PILATUS3 R | 100K-A | 200K-A | 300K | 300K-W | 1M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 x 1 | 1 x 2 | 1 x 3 | 3 x 1 | 2 x 5 |
有效面積:寬*高[mm?] | 83.8 x 33.5 | 83.8 x 70.0 | 83.8 x 106.5 | 253.7 x 33.5 | 168.7 x 179.4 |
像素大小 [μm?] | 172 x 172 | ||||
總像素?cái)?shù)量 | 487x195=94,965 | 487x407=198,209 | 487x619=301,453 | 1475x195=287,625 | 981x1043=1,023.183 |
間隙寬度, 水平/垂直(像素) | 0 | - / 17 | - / 17 | 7 / - | 7 / 17 |
非靈敏區(qū) [ % ] | 0 | 4.3 | 5.5 | 0.9 | 7.2 |
缺陷像素 | < 0.03% | ||||
**幀頻 [Hz] | 20 | 20 | 20 | 20 | 5 |
讀出時(shí)間 [ms] | 7 | ||||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel(FWHM) | ||||
計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits(1,048,576 counts) | ||||
閾值能量 [keV] | 3.5 - 18 | 3.5 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 |
功耗 [W] | 30 | 30 | 36 | 36 | 165 |
尺寸(WHD)[mm?] | 156x115x284 | 156x155x284 | 158x193x262 | 280x62x296 | 265x286x455 |
重量 [kg] | 4.5 | 5.4 | 7.5 | 7.0 | 25 |
模塊冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
電子冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 風(fēng)冷 |
外接觸發(fā)電壓 | 5V TTL | ||||
能量校準(zhǔn) | 鉻,錳,鐵,銅,鎵,鉬,銀的Ka線 | ||||
標(biāo)準(zhǔn)配置 | 450微米的硅傳感器 | ||||
探測(cè)器可選配置 | 1000微米的硅傳感器 | ||||
- | - | 可用于真空 | 可用于真空 | - |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!