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            鍺襯底
            鍺襯底

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            北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司

            會(huì)員

            |

            第2年

            |

            生產(chǎn)商

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            鍺片、鍺襯底

            1、晶體習(xí)性與幾何描述:

            該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長(zhǎng)度決定。當(dāng)一個(gè)晶體屬于原生態(tài)晶體時(shí),其當(dāng)量直徑為:

            D ----外形尺寸當(dāng)量直徑

            W----鍺晶體重量

            L-----晶體長(zhǎng)度

            測(cè)量值是四舍五入*小可達(dá)到毫米級(jí)別。為了便于訂單出貨,我們會(huì)依據(jù)晶體的體積、直徑和長(zhǎng)度進(jìn)行分類。同時(shí)我們可以滿足客戶的特殊需求,提供定制服務(wù)。

            2、純度:殘留載荷

            **允許凈載流子雜質(zhì)濃度與探頭二極管的幾個(gè)構(gòu)造有關(guān),請(qǐng)參照如列公式。其純度依據(jù)據(jù)霍爾效應(yīng)測(cè)量和計(jì)算。

            同軸探測(cè)器:同軸探測(cè)器適用于下列公式:

            Nmax = 每立方厘米**雜質(zhì)含量

            VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

            εo = 介電常數(shù) = 8,85 10-14 F/cm

            εr = 相對(duì)介電常數(shù)(Ge) = 16

            q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)

            r1 = 探測(cè)器內(nèi)孔半徑

            r2 = 探測(cè)器外孔半徑

            鍺片、鍺襯底

            3、純度

            假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕,內(nèi)徑8毫米的內(nèi)孔半徑, 適用公式變?yōu)椋?

            D = 晶體外表面

            平面探測(cè)器:平面探測(cè)器(厚度小于2厘米)適用于以下公式:

            d=探測(cè)器外觀尺寸厚度

            徑向分散載荷子(**值)

            遷移:霍爾遷移

            性能: P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

            N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

            能級(jí): P 型晶體 通過深能瞬態(tài)測(cè)量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3

            N 型晶體 通過深能瞬態(tài)測(cè)量點(diǎn)缺陷 < < 5*108cm-3

            晶體主要指標(biāo): P 型晶體 N 型晶體

            錯(cuò)位密度 ≤ 10000 ≤ 5000

            星型結(jié)構(gòu) ≤ 3 ≤ 3

            鑲嵌結(jié)構(gòu) ≤ 5 ≤ 5

            電阻率 0.02-0.04 ohm.cm

            4、高純度高純鍺HPGe晶體

            說明

            高純鍺晶體

            產(chǎn)地

            法國(guó)

            物理性質(zhì)

            顏色

            銀灰色

            屬性

            半導(dǎo)體材料

            密度

            5.32g/cm3

            熔點(diǎn)

            937.2

            沸點(diǎn)

            2830

            技術(shù)指標(biāo)

            材料均勻度

            特級(jí)

            光潔度

            特優(yōu)

            純度

            99.999 999 99%-99.999 999 999 99%(10 N-13N)

            制備方式

            鍺單晶是以區(qū)熔鍺錠原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制備的鍺單晶體。

            產(chǎn)品規(guī)格

            P、N型按客戶要求定制

            產(chǎn)品用途

            超高純度,紅外器件、γ輻射探測(cè)器

            P型N型高純鍺

            在高純金屬鍺中摻入三價(jià)元素如、等,得到p型鍺;

            在高純金屬鍺中摻入五價(jià)元素如銻、砷、磷等,得到n型鍺。

            提供各種規(guī)格鍺單晶、鍺片(鍺襯底),包含8英寸及以上的規(guī)格鍺片

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            10分

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            10分
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