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            四電弧高溫單晶生長爐
            四電弧高溫單晶生長爐

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            日本

            樣本

            暫無
            量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

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            四電弧高溫單晶生長爐

            日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長爐,采用電弧放電的高溫材料合成方法,非常適合生長化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點極高(一般在3000攝氏度左右)的金屬間化合物,包括含有稀土元素(或者金屬鈾)的二元及四元金屬間化合物,例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金單晶。生長的過程中,原料放在旋轉(zhuǎn)的銅坩堝中,四個電極同時放電形成高溫熔化原料,精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。樣品室的真空度可達(dá)10-6托,也可以充入保護(hù)性氣體。

            產(chǎn)品特點

            * 采用四電弧法加熱

            * 可實現(xiàn)3000°C高溫

            * 適用于金屬間化合物材料

            基本參數(shù)

            樣品腔:

            **溫度:3000℃

            氣氛:Ar

            工作壓強(qiáng):5x10-6 Torr~1.1Atm

            真空度:10-6 Torr

            尺寸:直徑208*300H

            材料:不銹鋼

            冷卻:水冷

            提拉棒:

            提拉生長速度:0.1-39mm/hr

            轉(zhuǎn)動速度:0-10rpm

            行程:150mm

            坩堝:

            轉(zhuǎn)動速度:0-10rpm

            行程:20mm

            電弧電流:

            樣品:25/30A(可調(diào))

            真空吸氣劑:25/30A(可調(diào))

            爐體:

            重量:350Kg

            尺寸:600W*700D*2155H

            工作原理圖

            發(fā)表文章

            1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.

            2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).

            國內(nèi)用戶單位

            北京大學(xué)

            中科院物理所

            復(fù)旦大學(xué)

            國外用戶單位

            Tokyo University

            Okayama University

            Osaka University

            University of California San Diego

            University of Maryland

            Vienna University of Technology

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            售后服務(wù)

            10分

            易用性

            10分

            性價比

            10分
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