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場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國儀量子產(chǎn)地
北京樣本
暫無探測器:
旁側(cè)二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED)加速電壓:
200 V ~ 30 kV電子槍:
肖特基熱場發(fā)射電子槍電子光學(xué)放大:
1 ~ 1,000,000 x光學(xué)放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,SE看了場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
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SEM4000Pro是一款分析型熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡,配備了高亮度、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍。三級磁透鏡設(shè)計,束流**可達200 nA,在EDS、EBSD、WDS等應(yīng)用上具有明顯優(yōu)勢。標(biāo)配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器,可觀察導(dǎo)電性弱或不導(dǎo)電樣品。標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,以及直觀的操作界面,讓您的分析工作倍感輕松。
01配備高亮度、長壽命的肖特基熱場發(fā)射電子槍
02分辨率高,30 kV 下優(yōu)于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級磁透鏡設(shè)計,束流可調(diào)范圍大,**支持 200 nA 的分析束流
04無漏磁物鏡設(shè)計,可直接觀察磁性樣品
05標(biāo)配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器
06標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,中文操作軟件,讓分析工作更輕松
關(guān)鍵參數(shù) | 高真空分辨率 | 0.9 nm @ 30 kV,SE |
低真空分辨率 | 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa | |
1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa | ||
加速電壓 | 200 V ~ 30 kV | |
放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x | |
電子槍類型 | 肖特基熱場發(fā)射電子槍 | |
樣品室 | 真空系統(tǒng) | 全自動控制 |
低真空模式 | **180 Pa | |
攝像頭 | 雙攝像頭 | |
(光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉內(nèi)監(jiān)控) | ||
行程 | X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm | |
T: -10°~+70°,R: 360° | ||
探測器和擴展 | 標(biāo)配 | 旁側(cè)二次電子探測器(ETD) |
低真空二次電子探測器(LVD) | ||
插入式背散射電子探測器(BSED) | ||
選配 | 能譜儀(EDS) | |
背散射衍射(EBSD) | ||
插入式掃描透射探測器(STEM) | ||
樣品交換倉 | ||
軌跡球&旋鈕控制板 | ||
軟件 | 語言 | 中文 |
操作系統(tǒng) | Windows | |
導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢快捷導(dǎo)航 | |
自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 |
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
4月1日,由湖南大學(xué)分析測試中心與國儀量子聯(lián)合主辦,深圳速普儀器有限公司、長沙凱普樂科技有限責(zé)任公司協(xié)辦的“國儀電鏡論壇暨湖南大學(xué)電子顯微技術(shù)交流會”在湖南大學(xué)分析測試中心成功舉行。本次會議吸引了湖南
引言 為更好地激勵在科研領(lǐng)域辛勤探索、努力拼搏的科研工作者,同時助力光探測磁共振事業(yè)發(fā)展,國儀量子決定對使用本公司ODMR系列產(chǎn)品,發(fā)表高水平學(xué)術(shù)文章的科研工作者給予現(xiàn)金獎勵。2025年OD
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時,Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機械應(yīng)力等不利