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碳化硅單晶爐

  PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長(zhǎng)，碳化硅具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能**、商品化程度**、技術(shù)*成熟的第三代半導(dǎo)體材料。

  第三代功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)在智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、新能源并網(wǎng)、開(kāi)關(guān)電源、工業(yè)電機(jī)以及家用電器等領(lǐng)域得到應(yīng)用，并展現(xiàn)出良好的發(fā)展前景。國(guó)際**企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始部署市場(chǎng)，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。