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            GAIA3超高分辨雙束FIB系統(tǒng)(GM)
            GAIA3超高分辨雙束FIB系統(tǒng)(GM)

            參考價格

            500萬以上

            型號

            GAIA3

            品牌

            產(chǎn)地

            樣本

            暫無
            泰思肯貿(mào)易(上海)有限公司.

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            二次電子圖象分辨率0.7 nm @ 15 keV放大倍數(shù)4~1,000,000x
            背散射電子圖像分辨率1.6 nm @ 15keV (低真空模式)加速電壓200V~30kV (BDT下*低50V
            產(chǎn)地屬性歐洲儀器種類場發(fā)射
            價格范圍500萬-700萬

            GAIA3-model 2016

            具有非同尋常的超高分辨率成像和極其精確的納米建模

            GAIA3 model 2016是一款可以挑戰(zhàn)納米設(shè)計應(yīng)用的理想平臺,它同時具備**的精度和微量分析的能力。GAIA3 model 2016擅長的一些應(yīng)用包括制備高質(zhì)量的超薄TEM樣品,在技術(shù)節(jié)點減少層級的過程,精確的納米構(gòu)圖或高分辨率的三維重建。


            主要特點

            TriglavTM-新設(shè)計的超高分辨(UHR)電子鏡筒配置了TriglavTM物鏡和先進(jìn)的探測系統(tǒng)

            • 以獨特的方式結(jié)合了三透鏡物鏡和crossover-free模式

            • 先進(jìn)的且可隨意變化的探測系統(tǒng)可用于同步獲取不同的信號

            • 超高的納米分辨率:15keV下0.7nm,1keV下1nm

            • 極限超高分辨率:1keV下1nm

            • 可變角度的BSE探測器,**化了低能量下能量反差

            • 實時電子束追蹤(In-flight Beam TracingTM)實現(xiàn)了電子束的**化

            • 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路(Wide Field OpticalTM)設(shè)計提供了不同的工作和顯示模式

            • 有效減少熱能損耗,**的電子鏡筒的穩(wěn)定性

            • 新款的肖特基場發(fā)射電子槍現(xiàn)在能實現(xiàn)電子束電流達(dá)到400nA,且電子束能量可快速的改變

            • 為失效分析檢測過程中的**技術(shù)節(jié)點提供了**的解決方案

            • 適合精巧的生物樣品成像

            • 可觀察磁性樣品

            • 優(yōu)化的鏡筒幾何學(xué)配置使得8’’晶元觀察成為可能(SEM觀察和FIB納米加工)

            • 獨有的實時三維立體成像,使用了三維電子束技術(shù)

            • 友好的,成熟的SW模塊和自動化程序

            Cobra FIB鏡筒:高性能的Ga FIB鏡筒,實現(xiàn)超高精度納米建模

            • 在刻蝕和成像方面是*頂尖水平的技術(shù)

            • Cobra保證在*短時間內(nèi)完成剖面處理和TEM樣品制備

            • FIB**分辨率<2.5nm

            • FIB-SEM斷層分析可應(yīng)用于高分辨的三維顯微分析

            • 適合生物樣品的三維超微結(jié)構(gòu)研究,例如組織和完整的細(xì)胞

            • 低電壓下**的性能,適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層



            應(yīng)用 


            半導(dǎo)體

            • 超細(xì)減薄TEM薄片厚度小于15nm,用于進(jìn)行小于14nm工藝節(jié)點的失效分析

            • 通過平面去層級化的手段對三維集成電路板進(jìn)行失效分析

            • 三維集成電路板的原型設(shè)計和電路修改

            • 電子束敏感結(jié)構(gòu)材料的成像,如低電子束能量下的晶體管層,光阻材料等

            • 用于獨特三維結(jié)構(gòu)分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術(shù)

            • 通過在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進(jìn)行TEM薄片的原位分析

            • 6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗及分析

            • 無失真的高分辨EBSD

            • 集成電路板和薄層測量下具有開創(chuàng)性及精確的原型設(shè)計,離子束光刻(IBL)以及失效分析

            • 通過結(jié)合FIB技術(shù)及電子束蝕刻(EBL)來進(jìn)行細(xì)小的特殊結(jié)構(gòu)的刻蝕及鍍膜。


            材料科學(xué)

            • 非導(dǎo)電材料如陶瓷,高分子及玻璃等的成像

            • 納米材料如納米管和納米環(huán)的表征

            • 通過切片分析進(jìn)行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析

            • 通過電子束蝕刻或聚焦離子束誘導(dǎo)沉積的方式進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)如納米盤,觸體和霍爾探針的制造。

            • 磁性樣品的成像

            • 用于分析磁性材料磁化動力學(xué)及其疇壁運動的自旋電子結(jié)構(gòu)的樣品制備

            • 通過TOF-SIMS分析進(jìn)行同位素及具有類似相當(dāng)質(zhì)量的元素種類的鑒別

            • 通過TOF-SIMS包括三維重構(gòu)進(jìn)行鋰離子電極的貫穿分析

            • 通過元素分布,相分布及晶體取向進(jìn)行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段

            • 通過二次離子成像進(jìn)行腐蝕生長學(xué)的研究

            • 特定應(yīng)用下的TEM薄片的樣品制備



            生命科學(xué)

            • 低電子束能量下生物樣品未鍍膜狀態(tài)的觀察

            • 高度集中區(qū)域的高分辨FIB層析成像分析標(biāo)本動物嵌入樹脂或植物組織和細(xì)胞的獨特三維結(jié)構(gòu)信息

            • 動物和植物組織的超微結(jié)構(gòu)分析的TEM薄片制備

            • 亞納米分辨率下的原位TEM樣品觀察

            • TOF-MOS的高分辨表面元素分析

            • 細(xì)胞形態(tài)學(xué)的研究,組織工程,微生物學(xué)及生物相容性材料的發(fā)展

            • 可變壓力模式及易損樣品的冷凍技術(shù)成像

            • 光電聯(lián)用顯微鏡

            • 全液體生物樣品的Cry-FIB-SEM分析


            創(chuàng)新點

            同時具備極佳的精度和微量分析的能力。

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