基于WS2納米片和聚乙烯咔唑納米復(fù)合材料的憶阻器的阻變行為

編號：CYYJ043558

篇名：基于WS2納米片和聚乙烯咔唑納米復(fù)合材料的憶阻器的阻變行為

作者：鄒鵬飛 曹青 陽芳 熊禮苗 袁旭東

關(guān)鍵詞： 憶阻器 WS2納米片 阻變行為 聚乙烯咔唑(PVK) 聚合物納米復(fù)合材料

機構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)機械工程學(xué)院 合肥通用機械研究院壓縮機技術(shù)國家重點實驗室

摘要： 文章介紹基于單層WS2納米片和聚乙烯咔唑(PVK)納米材料的Ag/WS2-PVK/Cu憶阻器,并研究PVK質(zhì)量分數(shù)對憶阻器I-V特性的影響。Ag/WS2-PVK/Cu憶阻器表現(xiàn)為一次寫入多次讀取(write-once read-many-times, WORM)的阻變行為,隨著PVK質(zhì)量分數(shù)的增加,VSET逐漸增加,開關(guān)比略有增加然后減小。I-V雙對數(shù)曲線證實了器件的開關(guān)機制是陷阱控制的空間電荷限制電流機制,并用能帶圖進行了解釋,研究結(jié)果為過渡金屬硫化物憶阻器開關(guān)性能的設(shè)計和優(yōu)化提供了理論依據(jù)。