石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制備及其介電性能

編號：CPJS06576

篇名：石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制備及其介電性能

作者：余煜璽 夏范森 黃奇凡

關鍵詞： 聚合物先驅(qū)體陶瓷 石墨烯 電學性能 制備

機構(gòu)： 廈門大學材料學院材料科學與工程系福建省特種先進材料重點實驗室

摘要： 以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)為原料,氧化石墨烯(GO)為碳源,無水乙醇(ETOH)為分散劑,制備石墨烯球增強SiCNO陶瓷(SiCNO-GO)。利用拉曼光譜(Raman)、電子自旋共振(EPR)和掃描電子顯微鏡(SEM)等表征手段,研究SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)對其介電性能的影響。結(jié)果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒徑的大小與GO的含量有關;隨著SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加,SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗也隨之增大,在GO含量為0.1%(質(zhì)量分數(shù))時達到最大值,而當GO質(zhì)量分數(shù)為0.3%時,SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗降低。