電化學沉積法制備MnO2納米棒陣列及電容性能

編號：NMJS07036

篇名：電化學沉積法制備MnO2納米棒陣列及電容性能

作者：方華 鄒偉 張振華 張世超

關(guān)鍵詞： 二氧化錳(MnO2) 電化學沉積法 納米棒陣列 超級電容器

機構(gòu)： 鄭州輕工業(yè)大學材料與化學工程學院 北京航空航天大學大學材料科學與工程學院

摘要： 采用陽極電化學沉積法在鎳片上制備二氧化錳(MnO2)納米棒陣列。用XRD、SEM、透射電子顯微鏡(TEM)和選區(qū)電子衍射(SAED)對MnO2陣列進行分析,用恒流充放電與循環(huán)伏安測試研究電化學電容性能。制備的MnO2納米棒直徑約為500nm,長度約為5μm,由相互連接的超薄納米片構(gòu)成,具有較好的電容性能。MnO2陣列電極在電流為1A/g、電壓為0.05~1.00V時的比電容達152.0F/g,循環(huán)1000次的比電容仍保持在146.9F/g。納米棒陣列電極具有納米多孔的結(jié)構(gòu),有利于電解質(zhì)離子的快速遷移,從而獲得較好的電容性能。