Ar等離子體處理對GaAs納米線發(fā)光特性的影響

編號：NMJS07018

篇名：Ar等離子體處理對GaAs納米線發(fā)光特性的影響

作者：高美 李浩林 王登魁 王新偉 方鉉 房丹 唐吉龍 王曉華 魏志鵬

關鍵詞： 光譜學 GaAs納米線 Ar等離子體處理 光致發(fā)光 缺陷 偏壓功率

機構： 長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室 長春理工大學材料科學與工程學院

摘要： 采用Ar等離子體處理GaAs納米線,通過光致發(fā)光測試研究了等離子體偏壓功率對GaAs納米線發(fā)光性能的影響。在不同測試溫度和不同激發(fā)功率密度下,研究了發(fā)光光譜各個發(fā)光峰的來源和機制。研究結果表明:隨著功率增加,GaAs自由激子發(fā)光逐漸消失,束縛激子發(fā)光強度先減小后增大;當功率增加到200 W時,出現(xiàn)施主-受主對(DAP)發(fā)光。通過對比不同樣品在283℃下的發(fā)光光譜,得到了等離子體處理過程中GaAs納米線的結構變化:當處理功率較小時,Ar等離子體在消除表面態(tài)的同時將空位缺陷引入GaAs中;當處理功率較大時,GaAs的晶體結構遭到破壞,形成施主類型的缺陷,出現(xiàn)DAP發(fā)光。