CdS納米線分級(jí)結(jié)構(gòu)薄膜的制備及光催化性能

編號(hào)：CPJS06307

篇名：CdS納米線分級(jí)結(jié)構(gòu)薄膜的制備及光催化性能

作者：劉瑤 劉新梅 張文康 黃春麗 覃禮思

關(guān)鍵詞： CDS 電沉積 溶劑熱法 分級(jí)納米結(jié)構(gòu) 光催化

機(jī)構(gòu)： 廣西科技大學(xué)生物與化學(xué)工程學(xué)院

摘要： 采用電沉積-溶劑熱兩步法制備了Cu基Cd S納米線分級(jí)結(jié)構(gòu)薄膜。用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、能譜分析儀(EDS)、紫外-可見漫反射光譜(UV-vis-DRS)等對(duì)薄膜進(jìn)行表征,探討了Cd基Cd S納米線的成核生長(zhǎng)機(jī)制。結(jié)果顯示:Cu基Cd微米片陣列與其表面生長(zhǎng)的針狀Cd S納米線,構(gòu)筑形成了多孔道的分級(jí)結(jié)構(gòu)薄膜,改變?nèi)軇�熱的時(shí)間、溫度及硫源濃度,Cd S納米線尺寸呈規(guī)律性變化。Cu基Cd S薄膜具有較好的光催化活性和穩(wěn)定性,經(jīng)5次光催化循環(huán),羅丹明B(Rh B)降解率下降不明顯。