Ni摻雜ZnO納米棒陣列膜的增強(qiáng)紫外光電響應(yīng)

編號：CPJS06296

篇名：Ni摻雜ZnO納米棒陣列膜的增強(qiáng)紫外光電響應(yīng)

作者：姜曉彤 魯林芝 謝長生

關(guān)鍵詞： 光響應(yīng)度 ZNO Ni摻雜 納米棒陣列膜

機(jī)構(gòu)： 華中科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 研究以醋酸鎳為Ni源,通過水熱方法合成不同濃度Ni摻雜的ZnO納米棒陣列膜,采用XRD、PL以及XPS等測試方法對摻雜的ZnO納米棒陣列膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征,通過自制的光電性能平臺進(jìn)行光電導(dǎo)性能的測試。研究結(jié)果表明,Ni的摻雜改變了ZnO晶格常數(shù)的大小。摻雜后的ZnO納米棒陣列膜的光響應(yīng)度很高,其中醋酸鎳濃度為0.05mol/L的ZnO納米棒陣列膜的光響應(yīng)度最高,可以達(dá)到3112.1,是純ZnO納米棒陣列膜的光響應(yīng)度的38倍。Ni的摻雜使得ZnO納米棒的耗盡層寬度拓寬,降低了暗電導(dǎo),從而使得光響應(yīng)度增大。