GaAs納米顆�？焖偃刍�過(guò)程的分子動(dòng)力學(xué)模擬

編號(hào)：NMJS06920

篇名：GaAs納米顆�？焖偃刍�過(guò)程的分子動(dòng)力學(xué)模擬

作者：周堯 陳茜 朱新宇

關(guān)鍵詞： 分子動(dòng)力學(xué) GaAs納米顆粒 快速熔化過(guò)程

機(jī)構(gòu)： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院

摘要： 采用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬1×10^ 11 K/s熔速下理想閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaAs納米顆粒(NPs)快速熔化過(guò)程中的微觀結(jié)構(gòu)演變,并采用徑向分布函數(shù)、平均原子勢(shì)能、平均配位數(shù)和可視化等方法對(duì)熔化過(guò)程中的微觀結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行分析。結(jié)果表明,高溫下As容易以As蒸汽形式脫離體系;GaAs NPs依賴晶格極化、變形來(lái)減少過(guò)高的表面勢(shì)能;由于顆粒不同位置上原子的勢(shì)能大不相同,導(dǎo)致各區(qū)域熔化所需外界提供能量大小有所差異,GaAs NPs呈現(xiàn)出階段性、區(qū)域性的熔化現(xiàn)象;GaAs NPs中部分閃鋅礦結(jié)構(gòu)的極化扭曲導(dǎo)致體系中纖鋅礦結(jié)構(gòu)形成。