水熱法制備條件對(duì)ZnO納米線形貌影響

編號(hào)：NMJS06888

篇名：水熱法制備條件對(duì)ZnO納米線形貌影響

作者：孫宇琪 端木慶鐸

關(guān)鍵詞： 氧化鋅 納米線 水熱法 濃度

機(jī)構(gòu)： 長春理工大學(xué)理學(xué)院

摘要： 為了獲得最佳的ZnO納米線制備條件,本文通過實(shí)驗(yàn)研究了水熱法制備ZnO納米線實(shí)驗(yàn)中反應(yīng)物濃度及反應(yīng)時(shí)間對(duì)ZnO納米線形貌的影響。先采用sol-gel法在硅基底上進(jìn)行ZnO籽晶層的制備,再采用水熱法在籽晶層上進(jìn)行了ZnO納米線的生長,并通過掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行了形貌表征。實(shí)驗(yàn)研究表明,當(dāng)濃度為0.05mol·L^-1,加熱時(shí)間5h,加熱溫度為160℃時(shí),納米線陣列取向性一致,形貌較好。