腦深部刺激電極表面多壁碳納米管的電泳沉積工藝研究

編號：FTJS07147

篇名：腦深部刺激電極表面多壁碳納米管的電泳沉積工藝研究

作者：趙廣賓 王會友 秦歌 劉亞雄

關(guān)鍵詞： 腦深部刺激電極 表面修飾 納米結(jié)構(gòu) 多壁碳納米管

機構(gòu)： 西安交通大學機械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室

摘要： 為了提高腦深部刺激(DBS)電極組織界面的電學性能和生物相容性,提出一種直流電泳沉積多壁碳納米管(MWCNTs)制備電極表面納米結(jié)構(gòu)對電極進行修飾改性的方法,將不銹鋼片和銅電極接在直流電源的陽極和陰極,放入經(jīng)過純化處理和功能化處理后配制成的MWCNTs懸濁液中,設(shè)置電壓和電泳時間,即可在不銹鋼片上沉積多壁碳納米管。對多壁碳納米管修飾電極的電泳沉積工藝進行了研究,評價了電泳沉積形成的多壁碳納米管薄膜的穩(wěn)定性、材料成分和生物學特性。研究結(jié)果表明,電泳沉積多壁碳納米管的最佳參數(shù)是20 V和7 min,電泳沉積可以在電極表面形成20~100 nm的碳納米管結(jié)構(gòu)膜層,膜層表面顆粒均勻,排列致密,連續(xù)性好,沒有裂紋,且薄膜的純度較高,生物相容性良好,具有較好的電化學穩(wěn)定性,但機械穩(wěn)定性有待提高。該方法在保證電極-組織界面生物相容性的基礎(chǔ)上,能有效避免電極電性能下降,從而提高電極的綜合性能。