基于石墨烯-ZnO納米線的復合電極在GaN LED中的應用

編號：CPJS06133

篇名：基于石墨烯-ZnO納米線的復合電極在GaN LED中的應用

作者：許坤 王一帆 解意洋 丁佩 杜銀霄

關鍵詞： 氧化鋅 氮化鎵LED 石墨烯 透明導電層

機構： 鄭州航空工業(yè)管理學院理學院 國家知識產(chǎn)權局專利局專利審查協(xié)作河南中心 北京工業(yè)大學電控學院

摘要： 使用一維ZnO納米線和二維石墨烯復合結構集成到p-GaN表面來同時實現(xiàn)電流擴展和提高LED光提取效率。通過兩組有無ZnO納米線器件的對比,發(fā)現(xiàn)ZnO納米線使器件的光提取效率提高了30%.通過分析兩組器件的開啟電壓、工作電壓和反向漏電流等關鍵參數(shù),驗證了本結構應用于GaN LED不會惡化其電性能。本文所采用的復合結構用于GaN LED,同時達到了良好歐姆接觸、避免使用ITO和增強出光的效果。