硅鉬酸@石墨烯復(fù)合膜修飾電極及電化學行為

編號：CPJS06074

篇名：硅鉬酸@石墨烯復(fù)合膜修飾電極及電化學行為

作者：郭偉華 楊國強 黃德娟 劉云海

關(guān)鍵詞： 硅鉬雜多酸 氧化石墨烯 一步電沉積 電催化

機構(gòu)： 東華理工大學核資源與環(huán)境省部共建國家重點實驗室培育基地 東華理工大學化學生物與材料科學學院

摘要： 以氧化石墨烯（GO）和硅鉬雜多酸（SiMo_（12））為原料,用一步電沉積法構(gòu)筑SiMo_（12）@ERGO復(fù)合膜修飾的氧化銦錫（ITO）電極。采用掃描電鏡和X-射線光電子能譜研究了電極的表面形貌和成分,通過循環(huán)伏安法對修飾電極的電化學性能進行了研究,并將構(gòu)筑的修飾電極應(yīng)用于亞硝酸根和抗壞血酸的測定。結(jié)果表明,與空白ITO和分步沉積法得到SiMo12/ERGO修飾電極相比,該方法得到的復(fù)合膜電極上SiMo_（12）的負載量高,穩(wěn)定性良好,同時對抗壞血酸具有良好的電催化能力。