摻雜石墨烯量子點(diǎn)對(duì)P3HT：PCBM太陽(yáng)能電池性能的影響

編號(hào)：CPJS05874

篇名：摻雜石墨烯量子點(diǎn)對(duì)P3HT：PCBM太陽(yáng)能電池性能的影響

作者：鄒鳳君 范思大 謝強(qiáng) 孫洋 孫麗晶 李占國(guó) 王麗娟

關(guān)鍵詞： 氧化石墨烯 石墨烯量子點(diǎn) 摻雜 P3HT:PCBM 聚合物太陽(yáng)能電池

機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院 長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院

摘要： 為研究摻雜石墨烯量子點(diǎn)（GQDs）對(duì)聚合物電池的影響,采用溶劑熱法制備了GQDs,摻雜到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物（P3HT∶PCBM）中作光敏層制備了聚合物太陽(yáng)能電池。摻雜不同濃度的GQDs后,聚合物電池的開(kāi)路電壓和填充因子都比未摻雜器件高。GQDs摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.15%時(shí),形成的摻雜薄膜平整、均勻,填充因子提高了17.42%。GQDs經(jīng)還原后,隨還原時(shí)間的延長(zhǎng),填充因子FF增大。到45 min時(shí),電池的FF基本穩(wěn)定,從31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,獲得了最佳的摻雜GQDs的聚合物太陽(yáng)能電池,開(kāi)路電壓Voc為0.54 V,填充因子FF為55.56%,光電轉(zhuǎn)換效率為0.75%。