CdTe對(duì)ZnO棒狀納米材料的電子調(diào)控研究

編號(hào)：NMJS06551

篇名：CdTe對(duì)ZnO棒狀納米材料的電子調(diào)控研究

作者：華佩[1] ;曾子彥[1] ;洪昕林[1,2]

關(guān)鍵詞： ZNO CDTE 納米材料 異質(zhì)結(jié) 電子密度

機(jī)構(gòu)： [1]武漢大學(xué)化學(xué)與分子科學(xué)學(xué)院,武漢420072; [2]武漢大學(xué)蘇州研究院,蘇州215123

摘要： 氧化鋅（ZnO）納米材料由于獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能具有廣泛的應(yīng)用前景,而半導(dǎo)體的摻雜則能有效地調(diào)控ZnO的電子結(jié)構(gòu)。在ZnO棒狀納米材料的合成過程中摻雜適量的碲化鎘（CdTe）成功地合成了核殼結(jié)構(gòu)的CdTe/ZnO異質(zhì)結(jié),X射線粉末衍射（XRD）和透射電子顯微鏡（TEM）都證明了CdTe的成功包裹,而這一成功包裹減少了CdTe中毒性Cd^2＋的暴露。同時(shí),電子順磁共振（EPR）、紫外可見漫反射（DRS）、熒光發(fā)光（FL）等一系列測(cè)試結(jié)果表明,與純ZnO棒狀納米材料相比,CdTe的摻雜有效地調(diào)控了ZnO的電子結(jié)構(gòu)使得ZnO棒狀納米材料的電子密度增大。