Si襯底上插入SiO2膜對Ag納米顆粒陷光性能的影響

編號：NMJS06544

篇名：Si襯底上插入SiO2膜對Ag納米顆粒陷光性能的影響

作者：白一鳴 ;延玲玲 ;王艷寧 ;蘇琳 ;劉海 ;陳諾夫 ;姚建曦

關(guān)鍵詞： 二氧化硅膜 銀納米顆粒 形成機(jī)理 消光譜 陷光性能

機(jī)構(gòu)： 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京102206

摘要： 采用磁控濺射法在Si襯底上制備了SiO2介質(zhì)膜，系統(tǒng)地研究了SiO2膜引入對Ag納米顆粒的表面覆蓋率、形貌、形成機(jī)理和光學(xué)性質(zhì)的影響．研究發(fā)現(xiàn)引入SiO2介質(zhì)膜后，Ag納米顆粒的表面覆蓋率顯著增加，平均粒徑明顯降低．基于現(xiàn)有的Ag納米顆粒形成機(jī)理，提出了粗糙表面Ag膜斷裂模型以解釋其形貌發(fā)生變化的原因．紫外一可見光分光光度計(jì)測試表明，引入Si02膜并優(yōu)化其厚度，可使Ag納米顆粒的偶極消光峰最大紅移86nm，但消光峰強(qiáng)度明顯下降．?dāng)?shù)值模擬計(jì)算表明，引入SiO2膜的Ag納米顆粒所能散射的光子數(shù)量最小減少2×10^18個．因此，在Si襯底上沉積Si02膜，不利于Ag納米顆粒陷光性能的提高．