使用金種子層在光纖上生長高質(zhì)量氧化鋅納米柱

編號(hào)：NMJS06501

篇名：使用金種子層在光纖上生長高質(zhì)量氧化鋅納米柱

作者：張乾坤[1,2] ;劉晶[1,2]

關(guān)鍵詞： 氧化鋅 納米柱 種子層 水熱法 光纖

機(jī)構(gòu)： [1]精密測(cè)試技術(shù)及儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(天津大學(xué)),天津300072; [2]天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院,天津300072

摘要： 氧化鋅納米柱因其優(yōu)越的電學(xué)和光學(xué)特性，被廣泛應(yīng)用在傳感、發(fā)光、能量存儲(chǔ)等領(lǐng)域．高質(zhì)量氧化鋅納米柱的生長是制備工藝中的關(guān)鍵因素．然而傳統(tǒng)方法因工藝過程中涉及高溫等問題而不兼容于光纖折射率傳感器．因此，本文提出一種新的用于在光纖端面生長高質(zhì)量氧化鋅納米柱的方法．首先在光纖端面蒸鍍一層金膜（約5nm）作為種子層，然后用水熱法生長氧化鋅納米柱．在實(shí)驗(yàn)中，通過調(diào)節(jié)生長的時(shí)間和溶液的pH值，可以調(diào)控氧化鋅納米柱的生長質(zhì)量．掃描電子顯微鏡照片表明所制備氧化鋅納米柱質(zhì)量較高．