不同濃度氮?dú)鈱?duì)于MPCVD法生長(zhǎng)納米金剛石薄膜的影響

編號(hào)：NMJS06495

篇名：不同濃度氮?dú)鈱?duì)于MPCVD法生長(zhǎng)納米金剛石薄膜的影響

作者：王小安[1] ;汪建華[1,2] ;孫祁[1] ;黃平[1]

關(guān)鍵詞： 微波等離子體 化學(xué)氣相沉積 納米金剛石 氮?dú)?/p>

機(jī)構(gòu)： [1]武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430074; [2]中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所,安徽合肥230031

摘要： 采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法，以N2／H2／CH4為氣源，通過(guò)改變反應(yīng)氣氛中的Nz濃度（10％～30％）制備了金剛石薄膜。采用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、x射線衍射儀等設(shè)備對(duì)金剛石薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及薄膜質(zhì)量進(jìn)行了分析，研究了不同濃度氮?dú)鈱?duì)于沉積金剛石薄膜的影響，結(jié)果表明：當(dāng)?shù)獨(dú)鉂舛鹊陀?0％時(shí)，沉積的金剛石薄膜晶粒尺寸變化不明顯，表面平整度較好，氮?dú)鉂舛冗_(dá)到30％時(shí)，金剛石晶粒增大，缺陷增加；隨著氮?dú)鉂舛仍黾�，薄膜中金剛石相含量下降，同時(shí)，金剛石趨向于（111）面優(yōu)先生長(zhǎng)。