方波脈沖下聚酰亞胺/納米復(fù)合薄膜耐電暈特性研究

編號(hào)：CPJS05600

篇名：方波脈沖下聚酰亞胺/納米復(fù)合薄膜耐電暈特性研究

作者：吳旭輝 ;高國(guó)強(qiáng) ;魏文賦 ;鐘鑫 ;張興濤 ;吳廣寧

關(guān)鍵詞： 聚酰亞胺 納米復(fù)合薄膜 紅外光譜分析 掃描電鏡 耐電暈

機(jī)構(gòu)： 西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院,四川成都610031

摘要： 本文為探究在方波脈沖下聚酰亞胺（polyimide,PI）/納米復(fù)合薄膜的耐電暈特性,采用原位聚合法制備了純膜和摻雜納米氧化鋁的復(fù)合薄膜,通過(guò)傅里葉紅外光譜（FTIR）技術(shù)分析了薄膜的化學(xué)結(jié)構(gòu),測(cè)量了純膜和納米膜的表面電阻率,并在重復(fù)方波脈沖下進(jìn)行耐電暈實(shí)驗(yàn),最后運(yùn)用掃描電子顯微鏡（SEM）分析電暈擊穿前后薄膜的微觀形態(tài)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：純膜和納米膜的耐電暈時(shí)間都會(huì)隨著電壓的升高而降低,并且在同一電壓下,納米膜的耐電暈特性優(yōu)于純膜。通過(guò)測(cè)試分析,從納米粒子和聚合物基體間形成的界面、薄膜表面電荷分布、薄膜試樣擊穿過(guò)程3個(gè)方面對(duì)納米薄膜優(yōu)異的耐電暈特性給出了解釋。