線缺陷對扶手型石墨烯納米帶能隙的調(diào)控

編號：NMJS06352

篇名：線缺陷對扶手型石墨烯納米帶能隙的調(diào)控

作者：劉麗麗 ;龍文

關(guān)鍵詞： 扶手型石墨烯納米帶 線缺陷 能隙

機構(gòu)： 首都師范大學物理系,北京100048

摘要： 采用單軌道最近鄰緊束縛模型,我們研究了線缺陷的位置、類型和強度對扶手型石墨烯納米帶（AGNRs）能隙的調(diào)控.計算結(jié)果表明,對于帶寬N為3n（n為整數(shù)）的半導體AGNRs,加一條位于Ni≠3m-1的兩體線缺陷后（N_i為缺陷位置,m為整數(shù)）,能隙關(guān)閉,納米帶呈金屬性;而N=3n＋1的半導體AGNRs關(guān)閉能隙的兩體線缺陷位置為Ni≠3m-2.對于帶寬N=3n＋2的金屬性AGNRs,可在Ni≠3m位置處加一條子格線缺陷打開能隙,使納米帶呈半導體性,同時在費米能附近出現(xiàn)一個波速為零的局域態(tài);增加正常原子與缺陷原子之間的交疊積分,可使局域態(tài)消失,同時保持半導體性.利用格林函數(shù)方法,我們研究了一個兩端口有限尺寸AGNRs的電子輸運模型,計算了體系在有線缺陷時的透射系數(shù)和態(tài)密度,結(jié)果與能帶譜計算結(jié)果相一致.