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            P摻雜單壁硅納米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究

            編號(hào):CPJS05444

            篇名:P摻雜單壁硅納米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究

            作者:周爽 ;劉貴立 ;姜艷 ;宋媛媛

            關(guān)鍵詞: 密度泛函理論 單壁硅納米管 P摻雜 Mg原子吸附

            機(jī)構(gòu): 沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)建筑與土木工程學(xué)院,沈陽(yáng)110870

            摘要: 采用密度泛函理論的廣義梯度近似和平面波贗勢(shì)方法,研究P摻雜單壁硅納米管對(duì)Mg原子的吸附性能.計(jì)算本征、摻雜P、施加形變作用(壓縮和拉伸)的(6,6)硅納米管外壁對(duì)Mg原子的吸附能,分析摻雜P前后的成鍵情況及電荷布局?jǐn)?shù).結(jié)果表明,摻雜P使體系形成Mg-P和Si-P間的離子性鍵,增強(qiáng)了Si-Si間的離子性鍵,P摻雜硅納米管超晶格中離子鍵與共價(jià)鍵共存;摻雜P后顯著提高了硅納米管外壁對(duì)Mg原子的吸附能力;硅納米管外壁對(duì)Mg原子的吸附能在0.25%,0.50%,1.00%,1.25%的壓縮量和1.00%,1.25%的拉伸量時(shí)增大,可顯著增強(qiáng)硅納米管材料作為增強(qiáng)相時(shí)與基體界面間結(jié)合的粘附性.

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