L-半胱氨酸法制備銀納米線材料及其電化學(xué)性能

編號(hào)：NMJS06293

篇名：L-半胱氨酸法制備銀納米線材料及其電化學(xué)性能

作者：苗智穎[1] ;秦霞[2] ;邵學(xué)廣[1] ;陳強(qiáng)[3]

關(guān)鍵詞： 銀納米線 L-半胱氨酸 電化學(xué)性能 無(wú)酶?jìng)鞲衅?/p>

機(jī)構(gòu)： [1]南開大學(xué)藥物化學(xué)生物學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津300071; [2]曲阜師范大學(xué)地理與旅游學(xué)院,日照276826; [3]南開大學(xué)生物活性材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津300071

摘要： 為了加快銀納米線材料的合成速度，在制備過(guò)程中利用L-半胱氨酸作為反應(yīng)過(guò)程中形成Ag2S膠體的硫源，將合成銀納米線的前驅(qū)體硝酸銀的濃度提高到了1mol／L，利用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和X射線衍射儀對(duì)制備的銀納米線材料進(jìn)行了表征，利用循環(huán)伏安法和電化學(xué)阻抗法對(duì)銀納米線修飾的鉑電極電化學(xué)性能進(jìn)行了研究．結(jié)果表明：L-半胱氨酸的引入可以明顯降低體系中硝酸的濃度，提高銀納米線的產(chǎn)量，使得銀納米線的合成時(shí)間降低到20min；電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：制備的銀納米線材料具備良好的電子傳遞能力、較大的比表面積和較強(qiáng)的電化學(xué)性能，利用這些特點(diǎn)有望改善無(wú)酶?jìng)鞲衅鞯男阅埽?/p>