Eu^3＋摻雜ZnS納米晶的制備及其表面修飾

編號(hào)：CPJS05410

篇名：Eu^3＋摻雜ZnS納米晶的制備及其表面修飾

作者：高俊芳 ;董江濤 ;趙軍 ;雍勝利 ;劉興旺

關(guān)鍵詞： ZnS:Eu納米晶 摻雜 MQ 表面修飾 熒光性質(zhì)

機(jī)構(gòu)： 包頭師范學(xué)院化學(xué)學(xué)院,內(nèi)蒙古包頭014030

摘要： 通過水相法合成Eu^3＋摻雜ZnS納米晶（ZnS：Eu）,合成的ZnS：Eu納米晶具有立方晶形結(jié)構(gòu),粒徑約為2 nm～4 nm,熒光譜圖中可以檢測(cè)到Eu^3＋的5D0-7FJ（J=0,1,2）的特征吸收峰,這是由于在ZnS：Eu納米晶內(nèi)Eu^3＋周圍存在電荷缺陷和晶格缺陷導(dǎo)致的。為了實(shí)現(xiàn)ZnS：Eu納米晶的功能性和可加工性,通過新穎的方法配體交換法合成了5-（2-甲基丙烯酰乙氧基甲基）-8-羥基喹啉（MQ）表面修飾的ZnS：Eu納米晶（MQ-ZnS：Eu）,表面修飾后的MQ-ZnS：Eu納米晶與ZnS：Eu納米晶相比較發(fā)光效率顯著提高,且發(fā)射峰發(fā)生藍(lán)移,藍(lán)移約80 nm～90 nm,這可能是MQ與ZnS：Eu納米晶之間協(xié)同作用導(dǎo)致的。