NADH在納米金/過氧化聚吡咯復(fù)合材料修飾電極上的電催化氧化

編號：FTJS06759

篇名：NADH在納米金/過氧化聚吡咯復(fù)合材料修飾電極上的電催化氧化

作者：李靖[1] ;張陽[1] ;黎陽[1] ;謝華清[1]

關(guān)鍵詞：過氧化聚吡咯 電催化氧化 納米金 煙酰胺腺嘌呤二核苷酸

機構(gòu)： [1]上海第二工業(yè)大學(xué)環(huán)境與材料工程學(xué)院,上海201209

摘要： 采用電沉積技術(shù)在過氧化聚吡咯膜上制備納米金,通過掃描電鏡和X-射線光電子能譜對復(fù)合材料的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。采用循環(huán)伏安和計時安培法研究煙酰胺腺嘌呤二核苷酸(Nicotinamide Adenine Dinucleotide,NADH)在納米金/過氧化聚吡咯復(fù)合材料修飾玻碳電極上的電化學(xué)催化氧化反應(yīng)。結(jié)果表明,復(fù)合材料修飾電極顯著降低了NADH的氧化峰電位,峰電流與其濃度在2.0*10-7～1.2*10-3mol/L范圍內(nèi)呈現(xiàn)很好的線性關(guān)系,檢測限為5.0*10-8mol/L,該修飾電極可用于對NADH的線性檢測。