覆銀聚酰亞胺納米棒陣列的制備及其SERS特性

編號：CPJS05337

篇名：覆銀聚酰亞胺納米棒陣列的制備及其SERS特性

作者：范祥祥 ;何秀麗 ;李建平 ;高曉光 ;賈建 ;祁志美

關(guān)鍵詞：納米棒陣列 表面增強拉曼散射 等離子體刻蝕 場增強因子

機構(gòu)： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所傳感技術(shù)國家重點實驗室,北京100190

摘要： 通過在聚酰亞胺（PI）膜表面進行氧等離子體刻蝕得到納米棒陣列,并濺射Ag膜形成了覆銀聚酰亞胺納米棒陣列。利用該方法能夠簡單快捷地制備出具有較強活性且結(jié)構(gòu)可調(diào)的表面增強拉曼散射（SERS）襯底。通過改變氧等離子體刻蝕時間和濺射Ag膜厚度可以調(diào)節(jié)覆銀PI納米棒的間隙、密度和直徑。通過對探針分子尼羅蘭（NB）測試表征了覆銀PI納米棒襯底的SERS增強能力。通過改變氧等離子體刻蝕時間和Ag膜濺射厚度實現(xiàn)了襯底SERS增強能力的調(diào)節(jié)。在氧等離子體刻蝕時間為30 s和濺射Ag膜厚度為70 nm時,襯底的SERS增強能力達到最強,并且其拉曼信號展現(xiàn)出較好的一致性。